0.18微米CMOS工艺的射频功率预测可扩展的大信号模型外文翻译.docVIP

毕业设计外文翻译 原文题目：Scaleable large-signal model of 0.18 μm CMOS process for rf power predictions 摘要：在无线电频率的CMOS技术，集成电路设计需要一个准确的和可扩展的模型，它可以在GHz范围内有效的进行设备的非线性行为的预测[IEEE期刊固态电路35（2000）186;电机及电子学工程师联合会j的固 -国家电路33（1998）1510]。一种改进的0.18微米栅长射频MOSFET的大信号模型，提出了基于BSIM3v3。这种大信号模型包括所需设备的寄生元件预测DC和RF特性。此外，微波负载牵引和数字调制评价已经进行了验证这一模型，其中一个与实验结果吻合较好，可达到的精度。 关键词：射频集成电路; MOSFET的;大信号模型; BSIM 1.介绍 由于成本低廉以及射频集成电路高层次集成（射频集成电路）的需求日益增加，深亚微米CMOS技术已被广泛推荐和无线前端收发电路中[1-3]。因此，准确的CMOS深亚微米尺度模型是针对IC设计的重要课题。 MOSFET的模型用于射频集成电路设计的基本要求应该onsist，不仅为设备的小信号性能仿真，而且对非线性行为，操作简单，可扩展性和准确性的优点。在过去，香料为主的CMOS模型已被广泛用于电路设计，但这种方法无法准确估计高频设备的性能，而不是设备的非线性行为的预测。 尽管有对CMOS模型等效电路的不同类型[4]，这已为电路设计的大信号仿真开发。他们大部分是不是太复杂或不能准确描述设备的非线性行为。在这项研究中我们提供了一个改进的MOSFET的大信号模型的基础上BSIM3v3模型，它是为数字和模拟电路设计的最流行的模型[5]。 BSIM模型已被广泛接受为标准的CMOS电路低于GHz工作频率运作模式。为了扩大上述GHz的运行模式的可用性，我们添加的寄生网络，目前用于描述设备高频基板寄生效应，而这些寄生效应[6,7]是完全与器件尺寸可扩展性。在这份报告中，一个可伸缩的0.18微米射频MOSFET的大信号随着电力预测能力模型。根据器件的物理尺寸，这个模型提供了一种方便的方法来预测不同的门宽度器件的性能。 2. 0.18微米MOSFET的改良RF大信号模型 这是不可能有一个详尽的射频CMOS晶体管的等效电路，它太过复杂，无法作为紧凑型模式实施。此外，许多组件将很难甚至不可能被提取出来，在一个电路仿真inconvergent情况下由于模型的复杂性造成的。因此，我们采取了特性BISM3v3政权作为紧凑模型，该模型可以预测深亚微米MOSFET的性能低于GHz的设备。然而，为了建立一个完整的RF MOSFET的大信号高于GHz频率运作模式，网络的扩展阻抗代表硅衬底寄生作用，应在包含在BSIM模型内。 在一个典型的N型MOSFET器件的横截面，在N+掺杂漏极和源区形成的AP - n结内的p型基板，是在P- n结耗尽区的电阻电容对系列产生。然而，这基板网络不包括在标准BSIM3v3模型。修改后的N - MOSFET的等效电路模型如图所示。 1。货币供应量M1的核心部分代表原始BSIM3v3模型与元件尺寸可扩展性，和其他无源器件的高频表现与MOSFET的物理布局相关的寄生效应。 BSIM3v3和附加的寄生元件的参数进行拟合，提取设备的直流I- V特性和测得的S-参数高达20 GHz。 MOSFET是捏造出来的联华电子公司（联电）的0.18微米1P6M CMOS制程。阿多指栅结构是用来降低栅极电阻，和每一个手指宽为10微米。要建立50，100，150，200和400微米门宽度可扩展的MOSFET射频大信号模型，装置，制备和表征。图。 2和3显示装置的I - V特性和微波的S -参数性能（高达20 GHz）为同一个门宽度为400微米的MOSFET。门的400μm宽的N - MOSFET的演示了420毫秒/毫米峰值跨导（克），一个?t37千兆赫，和?max30千兆赫，这是在Vds的=1.5 V和VGS= 1.5v基础下。 图. 1射频MOSFET的大信号模型：货币供应量M1代表原始BSIM3v3模型，以及其它无源器件代表了高频寄生效应。 图. 2直流的I - V一400μm的N - MOSFET的栅宽特性的测量和模拟结果。 （实线：模拟结果;平方点：测量数据），从0.4到1.8伏，再到0.2 V。 图. 3测量和仿真的S参数在不同的偏置点从50 MHz至20.05千兆赫，与一门宽度的400μm。Vds/Vgs = 0.9 V/0.9 V, 1.5 V/1.2 V and 1.5 V/1.5 V.（实线：模拟结果;环路点：测量数据）。 本质上，BSIM3v3是在一个有限的门宽度和长度尺寸可伸缩模型，这意味着不同的MOSFET具有相同