量子阱数量变化对InGaNAlGaN LED的影响.pdfVIP

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2017-09-14 发布于湖北
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量子阱数量变化对InGaNAlGaN LED的影响.pdf

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No．12 第33卷第12期发光学报 V01．33 2012年12月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCEDec．，2012 文章编号：1000—7032(2012)12—1368-05 量子阱数量变化对InGaN／AIGaNLED的影响宋晶晶，张运炎，赵芳，郑树文，范广涵4 (华南师范大学光电子材料与技术研究所，广东广州510631) 摘要：采用软件理论分析的方法分析了InGaN／A1GaN量子阱数量变化对发光二极管内量子效率、电子空穴浓度分布、载流子溢出产生的影响。分析结果表明：量子阱的个数不是越多越好，LED的光学性质和量子阱的个数并不成线性关系。量子阱个数太少时，电流溢出现象较明显；而当量子阱个数太多时，极化现象明显，且会造成材料浪费。因此应根据工作电流选择合适的量子阱个数。关键词：量子阱数量；数值模拟；InGaN／A1GaN发光二极管；大功率中图分类号：047 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx1368 EffectofTheNumberof WellsonInGaN／AIGaNLED Quantum SONG Guan·han+ Jing-jing，ZHANGYun—yan，ZHAOFang，ZHENGShu—wen，FAN (Institute Materialsand ChinaNormal 510631，China) of@to—Electronic Technology，SouthUniversity，Guangzhou $CorrespondingAuthor．E-mail：gfan@scnu．edu．cn oftheInGaN／A1GaN varied Abstract：The diodes(LEDs)with opticalproperties light-emitting arestudied simulatedresultsshowthatthe quantumwell(QW)numbersnumerically．The single hasthebest withsmallcurrentlessthan100 quantum—well(SQW)structureopticalperformance mA．However．thestructureobtains and thanotherstructureswhen 9一QWs higheroutputpowerIQE the 700 the currentis than mA，and is from14．10％to larger efficiencydroopdroppedmarkedly 5．15％at700mA withthatofthe isthe comparing SQWstructure．Therefore．9一