地面用高效率矽晶太陽電池技術之研發.docVIP

地面用高效率矽晶太陽電池技術之研發 林堅楊 國立雲林科技大學電子系 一、研究背景 近年來由於工業的高度發展，不但使得地球上的化石能源快速枯竭，甚且造成全球環境的嚴重污染與變遷。就促進能源種類與來源多元化的觀點而言，長遠來看，太陽光電能是除了化石燃料、水力及核能發電之外，最具潛力值得全力開發的新能源；它不僅取之不竭用之不盡，而且沒有環境污染的問題。1970年代隨著石油危機的開始，石油發電的成本增高，而核能發電投資龐大，發電後所產生的各種廢料有污染及影響生態環境之虞。根據估計，到公元2025年，全球燃油成長率為30%，電力需求成長率為265%。這麼龐大的電力需求，將對傳統型態能源供應造成嚴重的壓力。因此如何有效利用太陽光電能，不但是解決能源需求的迫切問題，而清潔無污染的太陽能更可以減少環境污染並防止全球的溫室效應的擴散。 目前先進國家如美、日、德、荷蘭、義大利、瑞士等基於新能源開發與環保的理由，無不大力推展太陽光電能的應用；而落後貧窮國家如印度、孟加拉、中國大陸等地則基於電力設施不足，亦正積極發展太陽光電能系統。太陽光電能的使用，全世界雖然以每年超過15%的速度成長，但距離真正具經濟效益且廣泛應用仍有一大段路要走。至於台灣，本身的化石及核燃料等天然能源極度匱乏，95%以上的能源都是仰賴進口；再加上人口密度高，工商業高度發展，民生及工業用電愈見吃緊，而各式各樣的環保問題與抗爭也日益嚴重，更顯現出開發新能源的必要與迫切性。台灣由於鄰近赤道，平均日照量充足，而夏季是用電尖峰期，也正是日照量最大的季節，善用太陽光電能來提供部分電力需求，可以說是舒緩電力尖峰負載的最佳良方；長遠觀之，乾淨且無窮的太陽光電能是我國工商業永續經營的最可靠能源。 基於上述的背景因素，本研究的目的即為研製並開發地面用之高效率單晶矽太陽電池技術，期能於最短期間達成技術自主，並進一步推廣應用，以配合我國正積極推展的能源開發與節約政策，落實無污染再生能源的開發與運用。 二、研究方法 依據太陽電池的電流-電壓輸出特性，在理想的情況下，其光電壓轉換效率η之定義為 η= (1) Pm是最大的輸出功率，PL是入射光的功率。(1)式可改寫成 η= (2) P(λ)是波長λ時的功率密度，提取因素FF (fill factor)定義為，Isc是短路電流，Voc是開路電壓。 實際的太陽電池效率η包括下列損耗因素[1]是無法避免的： (3) 為穿透損失：能量比禁帶寬小的光子，不被半導體吸收，其能量沒有被用來產生電子-電洞對，造成光電能源穿透之損失。 為光能之不完全利用損失：被半導體所吸收之光子，若其能量大於禁帶寬時，能量將被半導體之結晶格吸收轉成熱而浪費掉[2,3]。 為電壓因子損失：利用p-n接合時，最大可取得之電壓為Voc，通常費米準位存在於禁帶內，故相當於禁帶寬之電壓以下。亦即，Voc較低而造成損失[4]。 FF為提取因素(fill factor)：半導體之電阻不為零及歐姆性接觸之串聯電阻(Rs)，此外因有漏電流存在，使p-n接合上有並聯電阻(Rsh)出現。故此項包含串聯及並聯電阻損失。 R為反射損失：因半導體表面之反射，使太陽光無法全部進入半導體而產生之損失，使用抗反射膜及粗糙化表面(textured surface)等構造可改善之。 為金屬覆蓋率損失：Af是表面未被金屬覆蓋的面積，At是總表面積，(1-Af/At)是遮蔽耗損，它必須在增加入射面積和減低串聯電阻之間折衷，理想的遮蔽耗損大約在6% ~ 9%。 ηcol為收集效率：並非所有產生的電子-電洞對都會通過接面而被收集，有一些可能會在表面或半導體內被復合，因而降低了光電流。 高效率化基本考量 為了實現高光電壓轉換效率太陽電池之研製，必須改善上述(3)~(7)項所引起的損失，使之變小；至於上述(1)及(2)項僅與所用材料有關，只要所用半導體材料固定不變，則其禁帶寬和損失量即為定值。因此，本研究嘗試經由下述方法來提高太陽電池的光電壓轉換效率。 短路電流之改善 1.降低射極之接合深度至0.1~ 0.3 μm，並提高射極之摻雜濃度[5]，可改善短波長區域之吸收，增加電子-電洞對，提升光電流之產生。 2.在P層底部與金屬電極接觸的面，擴散一層p+層，構成背面場(Back Surface Field, BSF)構造，如圖1所示，由p-p+層之障礙使得在p型基板內，所生成之少數載子(電子)向底部方向擴散將會被反射回來，故與電極部分之復合不再發生，使到達p-n接面的電子數目增加。單晶矽對長波長之光吸收係數低，故長波長光可到達距表面較深之部分，產生電子-電洞對，所以BSF構造可以改善長波長領域之感度，增加光電流。除此之外，p-p+層間之能