4本科程的特点和研究内容.ppt

由于能源和电力资源的匮乏，自动扶梯在空载状态下的运转成为一种巨大的浪费。因此，我们设想，如果能让自动扶梯自动检测到空载状态一段时间后，指令扶梯由全速运转减速至半速运转。在人员进出相对不频繁的场所，基于上述思想，自动扶梯检测到空载状态一段时间后，将由全速运转逐渐减速直到停止运转，这样便可实现节省电能达30%～50%左右。当有乘客踏上自动扶梯床盖板时，扶梯可通过设置在床盖板入口处的光电感应装置自动感知乘客的到来，开始全速运转。 4.7 ??光电式传感器 4.7.2 光电器件 （3）光敏电阻——基本特性 光敏电阻的光谱特性 4.7 ??光电式传感器 4.7.2 光电器件 （3）光敏电阻——基本特性 温度特性 温度变化影响光敏电阻的灵敏度、暗电流和光谱响应。 硫化铅光敏电阻温度特性 4.7 ??光电式传感器 4.7.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 光敏晶体管工作原理主要基于光生伏特效应。 特点：响应速度快、频率响应好、灵敏度高、 可靠性高; 广泛应用于可见光和远红外探测，以及自动控制、自动报警、自动计数等领域和装置。 4.7 ??光电式传感器 4.7.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极 ①光敏二极管 光敏二极管结构与一般二极管相似，它们都有一个P－N结，并且都是单向导电的非线性元件。为了提高转换效率大面积受光，PN结面积比一般二极管大。 硅光敏二极管结构 4.7 ??光电式传感器 工作原理： 光敏二极管在电路中一般处于反向偏置状态， 无光照时，反向电阻很大， 反向电流很小； 有光照时，PN结处产生光生 电子空穴对； 在电场作用下形成光电流， 光照越强光电流越大； 光电流方向与反向电流一致。 4.7.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 光敏二极管基本电路 4.7 ??光电式传感器 与普通晶体管不同的是，光敏晶体管是将基极—集电极结作为光敏二极管，集电结做受光结，另外发射极的尺寸做的很大，以扩大光照面积。 大多数光敏晶体管的基极无引线，集电结加反偏。玻璃封装上有个小孔，让光照射到基区。 4.7.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 ②光敏三极管 光敏晶极管结构 ??? 4.7 ??光电式传感器 硅（Si）光敏晶体极管一般都是NPN结构，光照射在集电结的基区，产生电子、空穴，光生电子被拉向集电极，基区留下正电荷（空穴），使基极与发射极之间的电压升高，这样，发射极便有大量电子经基极流向集电极，形成三极管输出电流，使晶体管具有电流增益。在负载电阻RL上的输出电压为： 4.7.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 ②光敏三极管 ——晶体管电流放大系数 4.7 ??光电式传感器 光敏晶体管的光谱特性 硅材料的光敏管峰值波长在0.9μm附近（可见光） 灵敏度最大； 可见光或探测赤热状 物体时一般都用硅管 锗管的峰值波长约为 1.5μm（红外光） 对红外进行探测时用 锗管较适宜。 4.7.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管特性： 光敏晶体管光谱特性 4.7 ??光电式传感器 光谱特性 硅光敏二极管：当入射波长＞900nm时，响应下降，因波长长， 光子能量小于禁带宽度，不产生电子——空穴对； 当入射波长＜900nm时，响应也逐渐下降，波长短 的光穿透深度小，使光电流减小。 4.7.2 光电器件 (4) 光敏二极管和光敏三极管 硅光敏二极管光谱响应 光敏晶极管光谱响应 4.7 ??光电式传感器 光敏二极管伏—安特性 伏安特性 光敏二极管：当反向偏压较低时，光电流随电压变化比较敏感，随反向偏压的加大，光生电流趋于饱和，这时光生电流与所加偏压几乎无关，只取决于光照强度。 4.7.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 4.7 ??光电式传感器 光敏晶体管具有放大作用，伏安特性曲线 如图所示 4.7.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 光敏晶体管等效电路 光敏晶体管伏安特性 4.7 ??光电式传感器 温度特性 由于反向饱和电流与温度密切有关，因此光敏二极管的暗电流对温度变化很敏感。 4.7.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 光敏二极管暗电流与温度关系 4.7 ??光电式传感器 频率响应: 光敏管的频率响应是指光敏管输出的光电流随频率的变化关系。光敏管的频响与本身的物理结构、工作状态、负载以及入射光波长等因素有关。图光敏二极管