SiN_x插入层的生长位置对GaN外延薄膜性质的影响（英文）.pdfVIP

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2017-09-13 发布于安徽
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SiN_x插入层的生长位置对GaN外延薄膜性质的影响（英文）.pdf

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第 32卷第 l0期发光学报 V0L32 No．10 2011年 10月 CHINESE J0URNAL OF LUMINESCENCE 0ct．．2011 ArticleID：1000—7032(2011)10—1014—06 TheOpticalandElectricalPropertiesofGaN EpitaxialFilms withSi InterlayersInsertedatDifferentPosition MA Zi—guang，WANG Wen—xin ，WANG Xiao—li，CHEN Yao， XUPei—qiang，JIANGYang，JIA Hai—qiang，CHEN Hong (BeltingNationalLaboratoryofCondensedMatter，InstituteofPh~ics，ChineseAcademyofSciences，Befiing100190，China) Abstract：GaNfilmswithSiN interlayerweregrownonsapphiresubstratesbymetalorganicchemicalvapordeposi— tion．TheeffectofnanoporousSiN interlayergrowthpositiono13thepropertiesofhigh—qualityGaN epitaxialfilmswas investigatedsystematically．Thehigh—resolutionX—raydiffractionspectrawasachievedwhenaSiN interlayerwasa— doptedandinsertedonaroughGaNlayer．Thescrew andedgedislocationdensitieshavebeencalculated．Theoptical andelectricalpropertiesoftheGaNfilmswerecharacterizedbyRamanscatteringspectra，low temperaturephotolumi— neseeneespectraandHallmeasurements，etc．ThepositionoftheSiN interlayerhasnoimpactonthestraininGaN films．buttheresidualcarrierconcentrationchangeswiththepositionoftheinterlayer． Key words：metalorganicchemicalvapordeposition；GaN；SiN ；highresolutionX—raydiffractions CLC number：0472 PACS：61．05．cp；61．72．Lk PACC：7155F；8280D Documentcode：A DOI：l0．3788／fgx1014 ated with the ex—situ lithography process can be 1 Introduction eliminated 】． The amorphous and nanoporous The application ofGaN foroptoelectronic de— SiN layerisreadilyin—situprepare