SiGe HBT 低噪声放大器的设计与制造.pdfVIP

第 32 卷第 8 期 电 子 与 信 息 学 报 Vol.32No.8 2010 年 8 月 Journal of Electronics Information Technology Aug..2010 SiGe HBT 低噪声放大器的设计与制造 沈 珮 张万荣 金冬月 谢红云 (北京工业大学电子信息与工程控制学院 北京 100124) 摘 要：该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采 用复合型电阻负反馈结构，所以可灵活调整不同反馈电阻，同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。 基于 0.35 μm Si CMOS 平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数，在制 作放大器中 SiGe 器件时，采用钛硅合金(TiS