不同能量密度下脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核生长动力学研究.pdfVIP

第加 卷 第6期 、 人 工 晶 体 学 报 Vo1．40 No．6 2011年 12月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Decen~er．20l1 不 同能量密度下脉冲激光烧蚀制备 纳米 Si晶粒成核生长动力学研究 邓泽超，罗青山，胡 自强，丁学成，褚立志，梁伟华，陈金忠，傅广生，王英龙 (河北大学物理科学与技术学院，河北省光电信息材料重点实验室，保定071002) 摘要：在室温 、l0Pa氩气环境下，采用脉冲激光烧蚀 (PLA)技术，通过改变激光能量密度，在烧蚀点正下方、与烧蚀 羽辉轴线平行放置的衬底上沉积制备了一系列纳米 si晶薄膜。采用SEM、Raman散射谱和XRD对纳米Si晶薄膜 进行了表征。结果表明：沉积在衬底上的纳米 si晶粒分布在距靶一定的范围内，晶粒尺寸随与靶面距离的增加先 增大后减小；随着激光能量密度的增加，晶粒在衬底上的沉积范围双向展宽，但沉积所得最大晶粒尺寸基本保持不 变，只是沉积位置随激光能量密度的增加相应后移。结合流体力学模型、成核分区模型和热动力学方程，通过模拟 激光烧蚀靶材的动力学过程 ，对纳米 si晶粒的成核生长动力学过程进行了研究。 关键词：脉冲激光烧蚀 ；si纳米晶粒 ；能量密度；成核生长动力学 中图分类号：TB383．1 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2011)06-1547-05 NucleationandGrowthKineticsforSiNano-crystallites PreparedbyPulsedLaserAblationunderDifferentEnergyDensity DENG Ze—chao，LUO ng—shan，HU Zi—qiang，DINGXue—cheng， CHULi—zhi，LIANGWei—hua，CHEN Jin-zhong，FU Guang—sheng，WANG Ying—long (CollegeofPhysicsScienceandTechnology，HebeiKeyLal~oratoryofOptic-electronicInformation＆Materials， HebeiUniversity，Baoding071002，China) (Received17May2011，accepted18October2011) Abstract：A seriesSinano-crystallitesfilmsweredepositedon thesubstratesbypulsedlaserablationin Argaswithfixedpressureof10Paatloom temperaturethrough changinglaserenergydensity，nadthe substrateswereplacedundertheablationspotandparalleledtotheplumeaxis．ThepreparedSinano— crystalliteswascharaterizedbyScaningElectronMicroscope(SEM)，Raman(Raman)scatteringspectra andX—rayDiffraction(XRD)．Theresultsindicatedthatthepositionofnano—crystallitesdepositedonthe substratesinanraeafrom traget，andthesizeincreasedfirst，andthendecreasedasthedistancefrom targetincreasing．Asthe lasereneryg density increasing，theposition distribution of