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第 卷 第 期 年 月. , . , , 物 理 学 报 .// / .⑥ . .. 不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质 宋 超 陈谷然 徐 骏 王 涛 孙红程 刘 宇 李 伟 陈坤基 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿 采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向 晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用 技术对样品的结构进行表征.通过变 温电导率的测试,对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明:退火温度为 时,样品中开始有纳米晶形 成,随着退火温度的增加,样品的晶化比增大,在 时,薄膜的晶化比达到 %以上.在℃退火时,薄膜中 晶化成分较低,载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响,表现为带尾定域态的跳跃电导.随着晶 化度的提高,在℃时薄膜的电输运过程主要为晶化硅的扩展态电导,同时量子隧穿输运对薄膜的电输运过程 也有一定的影响. 关键词:氢化非晶硅,退火,纳米硅,电输运 : , , 的纳米硅薄膜材料,并对相应薄膜的电导输运特性 进行了研究对比,讨论了可能的载流子输运机理. .引 言 氢化非晶硅薄膜是一类重要的功能半导体材 .实 验 料,已被广泛地应用于许多领域,特别是用于制作薄 膜晶体管以及薄膜太阳能电池.近年来,为了进一步 实验中采用等离子体化学气相沉积系 统制备氢化非晶硅薄膜.生长中,衬底温度控制在 提高硅基薄膜太阳能电池的转换效率以及解决非晶 硅薄膜太阳能电池的不稳定性问题,人们提出了利℃,射频功率为 ,反应气体硅烷的流量控制 用纳米硅薄膜构建全硅基叠层太阳能电池的构想, 在 .样品沉积在双抛单晶硅与石英衬底上, 因而,需要对非晶硅和纳米硅薄膜的制备、结构以及 通过控制生长时间,样品的沉积厚度控制在 光电性质进行系统而深入地研究. 左右.样品生长完成后,在氮气保护下,首先在℃对样品进行的脱氢处理,然后进行稳态常 迄今为止,对硅基纳米结构的制备及其光电性 质的研究已有许多报道“ ,特别是对纳米硅基材 规炉温热退火处理,退火温度分别为 , 料的发光性质 以及电荷存储特性 川的研究尤 和℃,退火时间均为 . 为引人注目.在我们先前的工作中,对非晶硅以及微 我们采用微区 晶硅材料的输运性质进行了研究 ,” .研究结果表 散射光谱仪对退火前后薄膜的结构及晶化情况进行 明,薄膜的结构以及成分对载流子的输运有很大的 了表征,激发光源为波长 // 的 激光.采用 影响.近期对非晶硅和纳米硅薄膜电子性质的研究 一分光光度计测试样品的吸收和透 表明在纳米硅系统中,由于晶化成分的出现,传输机 射光谱,对薄膜的光学性质进行分析.在薄膜电导率 理会随之改变,并且在不同的温度段显示出不同的 测试中,采用真空蒸镀法制备共面铝电极,并采用 热激活特性 .在本文中,我们对常规等离子体化电流计进行测量,通过变温电导率的 学气相沉积系统中制备的氢化非晶硅薄膜进行了热 测量,对样品的激活能进行了分析.电导率的测试温 退火处理,在不同的退火温度下获得了晶化比不同 度范围从室温到 ,测试前,样品在下加 国家重点基础研究发展计划批准号: ,国家自然科学基金 批准号: 和高等学校博士学科点专项基金 批准号 资助的课题. 十通讯联系人. : . .期 宋 超等:不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质 热 ,以获得稳定的初始状态并去除表面吸附物所 带来的影响. .结果与讨论 图 给出原始淀积及在不同退火温度下处理的 样品的 图谱.从图中可以看出,在退火温度 小于 时,样品与原始淀积薄膜一样,仍保持非 晶结构,薄膜的类横向光学 声子模式在附近表现为弥散的非晶包.当退火温度为 ℃时,在 附近开始出现纳米硅的 声 子振动模式,表明样品开始由非晶向晶化转变.随着 退火温度的增加, 附近纳米硅的 峰逐渐 图 ℃退火所得样品的拉曼谱分峰拟合 插图中 增强,非晶峰变弱,样品的晶化程度增大. 给出薄膜晶化比 随退火温度变化的关系曲线 纳米晶硅薄膜的晶化比 ,,篁 量 其中,。和, 分别为拉曼光谱经过分峰拟 专 \ 合后非晶峰附近 和晶化峰 和 暖附近 的积分强度.根据以上计算可求出不 同退火温度下薄膜的晶化比的变化情况.在图 的 插图中我们给出 随退火温度变化的关系曲线. 从中我们看出,在 ℃退火时,薄膜的晶化比在 位移/ 一 %左右,随着退火温度的增加薄膜的晶化比 变 大,在℃时样品的晶化比可达到 %以上. 图 原始淀积及在不同温度下退火样品的图谱 为了进一步研究晶化硅薄膜的结构,我们对样 品的谱进行了分峰拟合.图 中我 们给出℃退火下薄膜的 分峰拟合结 果,峰位分别