实验四霍尔法测磁场【实验目的】1掌握霍尔元件的工作原理。2学习.docVIP

实验四 霍尔法测磁场 【 实验目的 】学习用霍尔效应测量磁场的原理和方法。【 实验仪器 】 【 实验】 在洛伦兹力的作用下，载流子的运动方向发生偏转，使电荷在半导体片的相对两侧面 及上聚集起来，两侧面之间将出现电势差UH,即霍尔电压。 在霍尔效应中，载流子在薄片侧面的聚集不会无限的进行下去，因为侧面聚集的电荷在薄片中形成横向电场。设电场强度为E，方向由C 指向H ，此电场对载流子的作用力大小为 可以看出，电场力的方向与洛伦兹力的方向相反。当 两力达到平衡状态，在半导体片中形成一个稳定的电场。此时半导体片中的横向 电场强度为 两侧面的霍尔电压也达到一稳定值 设n为半导体片中载流子浓度，则 可以得到 RH称为霍尔系数，单位为毫伏· 毫米/毫安· 千高斯（mV · mm/mA· kGS）。 KH称为霍尔元件的灵敏度，其单位是毫伏/ 毫安· 千高斯(mV/mA · kGS) 。 ? 应该指出上式是在假定理想情形下得到的。实际测量时测得的值并不只是UH，还包括了其它因素带来的附加电压，因而根据UH计算出的磁感应强度B也不准确。主要的附加电压′ 两点在同一等位面上，因此即使不加磁场，只要有电流Is通过，就有电势差U0产生，U0=IsR（R是A,A′所在的两个等势面之间的电阻），U0的正负与流过霍尔片的电流Is的方向有关，与磁场无关。因此可以通过改变Is的方向予以消除。 ? ? 霍尔片示意图 霍尔元件伴随霍尔效应还存在几种附加效应： ′上引起附加电压UE 。且UE(IsB，UE的正负与Is、B 的方向的关系与UH相同。因此不能用改变Is和B方向的方法予以消除。但是其引起的误差很小，可以忽略。 b) 能斯脱（Nernst）效应（热磁效应）：由于给霍尔片加电流Ic的两条引线的焊点D 、E电阻不等（见图7-5-2 ），通过电流后在接点处产生不同的焦耳热，造成在X 方向有温度梯度，载流子沿梯度方向扩散而产生热扩散电流，在磁场的作用下，类似于霍尔效应在Y方向产生附加电场，相应的电压为UN 。UN的正负与磁场B的方向有关，与IS的方向无关。因此可以通过改变B 的方向予以消除。 c) 纪-勒杜克（Righi-Leduc）效应（热磁效应产生的温差）：如b)中所述的X方向热扩散电流，由于热扩散电流的载流子的迁移率不同，在Z方向磁场B作用下，绕不同的轨道偏转，在Y方向形成温度梯度。该温度梯度引起A 、C间出现温差电压UR。UR的正负只与磁场B方向有关，与IS的方向无关。因此也可以通过改变B 的方向予以消除。 【 实验】—5.2V的输出接线柱(红)接霍耳元件的V＋(即引脚2－红色导线)，直流稳压电源的(黑)接线柱接霍耳元件的V-(即引脚3－黑色导线)，霍耳元件的VOUT（引脚1－黄色导线）接右边电压表‘电压输入’的＋(红)接线柱，电压表的－(黑)接线柱与直流稳压源的(黑)接线相连。电压表切换到V档(即拨动开关向上拨)。 3、检查接线无误后接通电源，断开电流换向开关，集成霍耳传感器放在螺线管的中间位置 (X=16.0cm处)，调节中间直流电源4.8V—5.2V的输出旋钮，使右边数字电压表显示2.500V，这时集成霍耳元件便达到了标准化工作状态，即集成霍耳传感器通过电流达到规定的数值，且剩余电压恰好达到补偿，U0=0V。 仍断开开关K2，在保持“V+”和“V-”电压不变的情况下，把开关K1指向2，调节2.4V —2.6V电源输出电压，使数字电压表指示值为0(这时应将数字电压表量程拨动开关指向mV档)，也就是用一外接2.500V的电位差与传感器输出2.500V电位差进行补偿，这样就可直接用数字电压表读出集成霍耳传感器电势差的值。 5、测量通电螺线管中的磁场分布 （1）当螺线管通恒定电流 (例如250mA)时，测量—X关系。X范围为0—30.0cm，两端的测量数据点应比中心位置的测量数据点密一些。 （2）利用B和之间的正比关系，做出—X 关系图，也即B—X关系分布图。 6、测量螺线管内部磁场随螺线管通电电流的变化情况 （1）当霍尔元件处于螺线管中央位置（例如16cm）时，测量—关系。的变化范围为0—500mA，每隔20mA测一次。 （2）同样利用B和之间的正比关系，做出—关系图，也即B—的关系图。 【数据处理】（注：以下数据不作为仪器验收标准，仅供实验时参考） 1．霍耳电势差与磁感应强度B的关系 霍耳传感器处于螺线管中央位置(即X=16cm处) 表1　测量霍耳电势差（已放大为U）与螺线管通电电流关系 /mA 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 U/mV 0 2