MoO3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响.pdfVIP

第41 卷 第6 期 电 子 科 技 大 学 学 报 Vol.41 No.6 20 12年11月 Journal of University of Electronic Science and Technology of China Nov. 20 12 MoO 源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响 3 徐 洁，李 青，林 慧，王 洪 (电子科技大学光电信息学院；电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054) 【摘要】以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层，采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电 极，在pentacene与Ag之间添加MoO 超薄层作为缓冲层，制备了具有较高场效应迁移率() 的晶体管器件。结果表明，器件在 3