原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第 19 卷第 5 期 半 导 体 学 报 . 19, . 5
V o l N o
1998 年 5 月 , 1998
CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S M ay
- - 低阻欧姆接触的机理研究
P t N i p In P
李秉臣 王玉田 庄 岩
( 中国科学院半导体研究所 国家光电子工艺中心 北京 100083)
摘要 本文利用 射线衍射和 ( ) 磁控溅射淀积的
X A E S 俄歇 方法, 深入地研究了R F P t N i p
InP ( 100) 非合金膜系在热退火过程中P t 和N i 与衬底 InP 中的 In 和 P 形成稳定化合物的行
为, 揭示了比接触电阻降低到 3 ×10- 6 · 2 的根本原因.
cm
PACC: 6 110, 6850
1 引言
众所周知, 在半导体器件制备中, 欧姆接触是很重要的器件加工工艺之一, 对器件的性
能以及可靠性和稳定性都是至关重要的. 近年来, 随着新型光电子器件的出现和发展, 以
族化合物半导体为衬底的器件得到了广泛的应用. 同时对欧姆接触电极提出了更高的要
求, 不但要求保持低接触电阻, 而且要具有更高的可靠性和稳定性, 还必须防止合金“尖峰”
[ 1 ]
出现, 以适用于薄层、浅结的要求 .
对于 InP 族化合物半导体, P 型欧姆接触一般要比N 型难做得多, 其原因首先在于空
穴的有效质量比电子大, 其势垒高度也比N 型材料高. 其次是由器件加工工艺决定的, 在常
[2 ]
用的 系列中 为快扩散杂质, 在退火过程中很容易扩散到 结内部, 使结特性
A u Zn A u P N
变坏.
一般来说, 淀积在半导体表面的金属薄膜在退火前常以多晶或非晶状态存在. 在退火过
程中, 由于互扩散作用, 它会和衬底材料中的元素形成合金化合物. 但是一定要保持 良好的
[3 ]
欧姆接触, 同时又必须防止有害金属元素向深层扩散 .
( 18 18 - 3 )
在 掺 , 掺杂浓度为 1 ×10 ～ 2 ×10 非合金膜系中, 一般比接
A u P t T i p InP Zn cm
- 4 2 [2 ]
触电阻只有 10 · 数量级 . 为改善欧姆接触, 本研究所采用的
文档评论（0）