CdSe纳米晶带隙随温度变化的研究.pdfVIP

第 29 卷 　 第 6 期 物 　理 　实 　验 Vol . 29 　No . 6 2009 年 6 月 　 　 　P H YSICS EXP ER IM EN TA T ION 　 J un . ,2009 实验与应用 CdSe 纳米晶带隙随温度变化的研究 张 　颖 (长春大学 理学院 ,吉林 长春 130022) 　　摘 　要 :根据带隙与吸收光谱的第一吸收峰峰位之间存在的关系 ,测量了粒子尺寸分别为 4 . 0 nm 和 2 . 5 nm 的 Cd Se 纳米晶在不同温度下的吸收光谱 ,找出了吸收光谱第一吸收峰峰位随温度的变化关系 ,总结出了 CdSe 纳米晶的带 隙随温度的变化关系. 结果表明:CdSe 纳米晶材料的发光器件的发光颜色取决于它的带隙. 关键词 :CdSe 纳米晶;带隙;温度 中图分类号 :O493 . 2 　　　文献标识码 :A 　　　文章编号 (2009) 0600 1104 ( 的反应 ,使样品冷却到室温即得到不同尺寸 小于 1 　引　言 5 . 0 nm) 的 Cd Se 纳米晶. Cd Se 纳米晶作为一种直接带隙半导体 ,常常 实验中 ,分别测量了粒子尺寸为 2 . 5 nm 和 被制作利用电子空穴复合的发光器件 ,而它发光 4 . 0 nm 的Cd Se 纳米晶在升温和降温时的吸收光 的颜色取决于它的带隙宽度[ 13 ] . 以往对 Cd Se 纳 谱. 实验时甲苯的凝固点相对较低为 178 K ,所 米晶带隙随温度变化的研究多集中于某一单一的 以在降温测量时 ,把 Cd Se 纳米晶分散在甲苯里 ; 温度 , 比如 10 K 或 523 K [4 ] . 本文对 Cd Se 纳米 ( 而在升温测量时 ,选择十八烯作为溶剂 因其沸点 晶带隙随温度的变化进行了细致地研究 , 由于 可达 573 K) . Cd Se 纳米晶器件的工作温度是变化的 , 了解 了 3 　结果与讨论 Cd Se 纳米晶带隙随温度的变化规律 ,就能估计出 Cd Se 纳米器件在不同温度下的颜色变化 ; 另外 , 在图 1 吸收光谱中 ,带隙 Е与第一吸收峰峰 调节温度也可以调节 Cd Se 纳米晶的带隙 ,为获 λ 位 之间存在着如下的关系 : 得太阳光中的可见和红外区域的光能提供了新的 h с 1 239. 85 Е= = . ( 1) 机会[ 56 ] . λ λ 从图 1 可以看出 , 随着温度的增加 , C