低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究.pdfVIP

第 54 卷 第 4 期 2005 年 4 月 物 　理 　学 　报 Vol . 54 ,No . 4 ,April ,2005 10003290200554 (04) 189005 ACTA PHYSICA SINICA 2005 Chin . Phys. Soc . 低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究 谷锦华1) 　周玉琴1) 　朱美芳1) 　李国华2) 　丁 　琨2) 周炳卿1) 　刘丰珍1) 　刘金龙1) 　张群芳1) 1) ( 中国科学院研究生院物理系 ,北京 　100049) 2) ( 中国科学院半导体研究所 ,北京 　100083) (2004 年 7 月 2 日收到 ;2004 年 12 月 2 日收到修改稿) 　　采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品 ,用原子力显微镜系统地研究生长在 单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化. 按照分形理论分析得到 :在玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生 长模式生长 ;而在单晶硅衬底上 ,薄膜早期以有限扩散生长模式生长 ,当膜厚超过某一临界厚度时转变为零扩散随 机生长模式. 岛面密度与膜厚的依赖关系表明 ,在临界厚度时硅衬底和玻璃衬底上的岛面密度均出现了极大值. Raman 谱的测量证实 ,玻璃衬底上薄膜临界厚度与非晶微晶相变之间存在密切的关系. 不同的衬底材料直接影响 反应基元的表面扩散能力 ,从而造成薄膜早期生长模式的差异. 关键词 : 生长机制 ,微晶硅薄膜 ,表面形貌 ,热丝化学气相沉积 PACC : 8115H , 7865H 测量[7 , 8 ] 、德国 Kaiserslautern 大学的实时动力学椭偏 1 引 言 仪测量[9 , 10 ] 、美国 Illinois 大学 Abelson 小组的实时 远红外吸收谱测量[ 11 , 12 ] 和英国剑桥大学的实时扫 微晶硅薄膜具有较高的迁移率和无光致衰退现 [3 ] 描隧道显微镜观察 等. 实时观测能在薄膜生长的 象 ,在薄膜太阳电池和液晶平板显示中有很好的市 同时获取信息 ,但 由于 HWCVD 制备薄膜的生长速 场前景[ 1] . 研究其生长机制对控制微晶硅薄膜的结 率快 ,对仪器的瞬时响应和测量精度有较高的要求 , 构 、优化其光电特性以及器件的制备等方面都具有 实时观测并没能给出微晶硅薄膜生长过程的清晰 重要意义. 到 目前为止 ,研究者们对等离子体增强 图像. 化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜的生长机制 Herring[ 13 ] 认为 ,薄膜的表面形貌是与生长机制 已做了较多的研究[2 —5 ] , 而对热丝化学气相沉积 相关的 ,因此研究薄膜表面形貌的演变可以用来外 (HWCVD) 方法制备薄膜的生长动力学过程认识很 推其生长机制. 根据分形理论 ,若薄膜是自组织生长 少. HWCVD 是一项富有潜力的薄膜制备技术[6 ] ,可 则薄膜均方根表面粗糙度 δ与膜厚 d 之间满足以 ( ) 下关系 : 以在低衬底温度 300 ℃ 下高速沉积器件质量的 δ β 微晶硅薄膜. 因此 ,研究 HWCVD 技术低温高速沉积