太阳电池用CuInS2薄膜电沉积工艺的研究进展.pdfVIP

第 17卷第6期 功能材料与器件学报 Vo1．17，No．6 2011年 12月 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES Dec．，2011 文章编号 ：1007—4252(2011)06—0543—06 太阳电池用 CuInS2薄膜 电沉积工艺的研究进展 卢琳，王艳杰，李晓刚 (北京科技大学腐蚀与防护中心，北京 1O0083) 摘要：介绍了太阳电池用CuInS 薄膜一步共沉积法和分步电沉积法的工艺特点，重点讨论了一步 法共沉积CuInS：薄膜的工艺因素，包括 电解液的组成(如主盐浓度、络合剂、添加剂和附加盐等)、 电沉积工艺规范(如沉积 电位、温度、热处理等)等方面。并详细地分析 了这些因素对 电沉积 CulnS 薄膜性能的影响，据此提出了目前实验室研究中存在的问题和今后的研究方向。 关键词：CuInS；薄膜；电沉积；太阳电池 中图分类号：TP914．4+2 文献标识码 ：A Researchprogresseson electrodepositedCuInS2 thin film usedastheabsorberofsolarcell LULin，WANGYan—jie，LIXiao—gang (CorrosionandProtectionCenter，UniversityofScienceandTechnologyBeijing，Beijing，100083) Abstract：Theprocessing feathersofvariouspreparationmethodsforelectrodepositedCuInS2thin film wereintroduced．Theprocessingfactorsareemphasizedforone—stepelectrodepositionprocedure，inclu- dingtheelectrolytecomposition(suchasconcentrationofmaincomponent，complexitionandetc．)and electrodepositingparameters(suchasappliedpotential，bathtemperatureandheattreatment)．Thein— fluenceofthesekeyfactorsonthepropertiesofas—depositedthinfilmsisanalyzed．Basedon it，the problemsencounteredin experimentalstudiesand theresearch tendenciesofrfuturedevelopmentwere postulatedattheendofthispaper． Keywords：CuInS2；thinfilm ；electrodeposition；solarcell 0 引言 半导体薄膜 CulnS(CIS)引起 了人们的广泛关注。 其主要优势在于不含明显有毒成分 se，具有高的光 在原材料价格不断上涨的今天，晶体硅 电池成 吸收系数(10cm )，禁带宽度(1．50eV)更接近太 本居高不下，依靠规模效应降低成本的空间已所剩 阳能电池所需的最佳禁带宽度 (1．45eV)，相应的 无几 ，因此发展低成本的新型薄膜太阳电池成为未 电池组件无光衰效应，理论转化效率达 28～32％ 来 国际光伏产业发展的必然趋势 ¨J。在