退火气氛对BiFeO3薄膜电性能的影响.pdfVIP

第 45卷第 3期 华 中师范大学学报 (自然科学版) VolJ45 No．3 2Ol1年 9月 J0URNAIOFHUAZHONG NORM ALUNIVERSITY(Nat．Sci．) Sept．2O11 文章编号 2011)03—039605 退火气氛对 BiFeO3薄膜 电性能的影响 王 国强 ，刘红 日。 (1．郧阳师范高等专科学校 物理与电子工程系 ，湖北 十堰 442000； r2．湖北师范学 院 物理与电子科学学 院，湖北 黄石 435002) 摘 要 ：采用溶胶一凝胶法在氟掺杂 SnO。／glass(FTO／glass)衬底上制备 BiFeO。(BFO)薄膜 ，薄 膜的退火气氛分别是空气、氧气、氮气 ，退火温度为 500。C．XRD衍射图样表 明BiFe0 薄膜结晶充 分 ，没有杂相．剖面扫描电镜测试结果表 明薄膜 的厚度为 600nm．铁 电性测试表明在空气中退火的 BiFeO。薄膜能够观察到饱和电滞回线 ，其剩余极化强度为 53．9~／C／cm。；在氧气和氮气气氛 中退 火的BiFeO 薄膜的剩余极化强度分别为 53．6a／C／cm 和 39．2~／C／cm ．在空气和氧气气氛中退火 的BiFeO。薄膜，在相同的测试频率时表现 出相近 的介 电常数．此外 ，在不同气氛中退火制备的 BiFeO。薄膜具有不 同的漏 电流特性 ． 关键词 ：BiFeO。薄膜 ；溶胶一凝胶法 ；X射线衍射 ；铁 电性 ；介 电性能 中图分类 号 ：TB43 文献标识码 ：A 多铁材料 由于同时具有铁磁性 、铁电性和铁弹 在 不 同衬底 和不 同底 电极上 制 备 了 BFO 薄 性而可用于设计制作多功能器件 ，已引起人们广泛 膜l1 ]．其 中Pt／Ti／SiO。／Si是常用的一种基底， 的关注[]．截止 目前 ，有超过 80个单相 的多铁复 在已有 的工作 中，用不同的先驱体溶液在 Pt／Ti 合物生成，这些多铁复合物要么是单相的化合物或 SiO ／Si基底上制备 的BFO 薄膜，实验测得 BFO 是固溶体复合体 系口]．在这些复合物 中，BiFeO。 薄膜的剩余极化值从几个 l~C／cm。到 100 C／Cnl． (BFO)是研究最广泛 的一种化合物，它具有铁 电 此外 ，钙钛矿结构的 SrRu0。／SrTiO。和 IaNiO ／Si 性、铁弹性和较弱的铁磁性 ]．BF0为扭曲的斜方 也被用作制备 BFO 薄膜的基底 ，并且获得 了外延 钙钛 矿 结 构 ，晶胞 参 数 a一 0．396nm 和 a一 生长 的BFO薄膜．在 8OK时 ，沉积在 LaNi()。／Si 0．6。l ． BFO薄膜具有高剩余极化和强压电效应 ， 基底上的BFO薄膜在 2MV／cm 电场作用下测得 这使得其可能成为铅基铁电材料 的替代材料 以降 剩余极化 Pr值为5O~／C／cm ，通过 B位 Mn替代 ， 低对环境的影响．目前对 BiFeO。的兴趣 主要集 中 Pr值可提高到 100,／C／cm ．另外 ，BFO薄膜 的制 在其高居里温度 (T 一1100K)和磁有序温度 (T 备也采用 一 些 新 的底 电极 和基 底 ，如 I．a Sr— 一 650K)在实际中的应用方面 ． MnO。／si，和 SrRuO3／SrTiO。／TiO：／GaN也被用 最近，人们用磁控溅射法或脉冲激光沉积法在 来作为底 电极制备 BFOl_】”J．研究表明，在 500。C 各种基 底上制 备 了 BiFeO。薄膜l7]．在 Si或 Sr- 退火条件下制备的BF0薄膜有稳定 的电滞特征 ， TiO。基底上通过外延生长 ，观察到 了 5Oi／C／cm 随着退火温度 的增加 ，BFO薄膜的