GaMnAs薄膜洛伦兹振子模型参数提取以及材料缺陷分析.pdfVIP

第 23卷 第 3期 光 散 射 学 报 Vo1．23 No．3 2011年 9月 THEJOURNALOFLIGHTSCATTERING Sep．20l1 文章编号 ：1004—5929(2011)03—0238—06 GaMnAs薄膜洛伦兹振子模型参数提取 以及材料缺 陷分析 蔡娟露，程兴华，钟玉杰，何志刚，史同飞，龚 敏，石瑞英 (1．四川大学物理科学与技术学院微电子学系，成都 610064； 2．微 电子技术四川省重点实验室 ，成都 610064； 3．中科院固体物理所) 摘 要 ：利用改进 的遗传算法从 GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振 子模型参数 ，发现 GaAs掺人 Mn后 ，COTo向低频方 向移动 ， o基本保持不变 ，￡。。和 e，均减小，y有很大变 化 。并通过XRD以及近红外谱发现 Mn的掺人会引入缺陷，这种缺陷会影响晶格质量 ，导致 7发生很大变 化。 关键词：GaMnAs；遗传算法；洛伦兹振子模型；缺陷；XRD；红外光谱 中图分类号 ：0484．4：0474；0433．4 文献标识码 ：A TheParameterextraction ofGaM nAsLorentzOscillator M odelandDefectAnalysis CAIJuan—lu，CHENGXing—hua，ZHONGYu-jie，HEZhi—gang， SHITong—fei，GongM ing，SHIRui—ying (1．DepartmentofMicroelectronics，SichuanUniversity，Chengdu610064，China； 2．KeyLabofMicroelectronicstechnologyofSichuanprovince，Chengdu610064，China) Abstract：Therevisedgeneticalgorithm wassuccessfullyusedtoextracttheLorentzoscil— latormodelparametersofGaM nAsfrom far—infraredreflectancespectra．Comparing the LorentzoscillatormodelparametersofGaMnAswiththoseofGaAs，itwasfoundthat∞To movedtolowerfrequencies，e。。and￡decreased，ychangedgreatly，butthe(oL0wasal— mostnotchanged．AnalysisonXRD andnear—infraredspectrum ofGaMnAsshowsthat introduceddefectsbyMn incorporationaffectsthequalityoflatticeand leads丫changed dramatically． Keywords：GaMnAs；geneticalgorithm；lorentzoscillatormodel；defect；XRD；infrared spectroscOpy 收稿 日期 ：2011-04—29；修改稿 日期 ：2011-05—09 基金项 目：国家 自然科学基金 作者简介 ：蔡娟露 (1986一)，女，甘肃庆阳人，硕士，主要研究领域为稀磁半导体材料 GaMnAs特性研究．E—mail：ada—cjl@163 COm 通讯作者 ：石瑞英 ．E-mail：ruiyshi@SeL1．edu．oil 第 3期