IGBT的基本结构.docVIP

IGBT 的基本结构 ???? 绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 ???P 型层。根据国际电 ? 工委员会 ???IEC ／ TC （ ?CO ） ???13?3?9 文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。 ???? 图 ?2 － 53 所示为一个 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的 P 型区（包括 P+ 和 P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel??region ）。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区（ ?Drain????injector ），它是 ???IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成 ?PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 ?? 为了兼顾长期以来人们的习惯， IEC 规定：源极引出的电极端子（含电极端）称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。 ????IGBT 的结构剖面图如图 2 － 53 所示。它在结构上类似于 MOSFET ，其不同点在于 ?IGBT 是在 ?N 沟道功率 ??MOSFET 的 ???N+ 基板（漏极）上增加了一个 P+ 基板（ ?IGBT 的集电极），形成 PN 结 j1 ，并由此引出漏极、栅极和源极则完全与 MOSFET 相似。 ? ??? 由图 ??2 － ?5?4 可以看出， ?IGBT 相当于一个由 MOSFET 驱动的厚基区 GTR ，其简化等效电路如图 2 － 55 所示。图中 Rdr 是厚基区 GTR 的扩展电阻。 IGBT 是以 GTR 为主导件、 ????MOSFET 为驱动件的复合结构。 ????N 沟道 IGBT 的图形符号有两种，如图 2 － 56 。所示。实际应用时，常使用图 ???2 － ?5?6b 所示的符号。 对于 P 沟道，图形符号中的箭头方向恰好相反，如图 ?2 － 57 所示。 ? IGBT 的开通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极加正电压时， MOSFET 内形成沟道，并为 PNP 晶体管提供基极电流，从而使 IGBT 导通，此时，从 ???P+ 区注到 ???N 一区进行电导调制，减少 ???N? 一 ? 区的电阻 Rdr 值，使高耐压的 IGBT 也具有低的通态压降。在栅极上加负电压时， MOSFET 内的沟道消失， PNP 晶体管的基极电流被切断， IGBT 即关断。 ???? 正是由于 ???IGBT 是在???N 沟道 ???MOSFET 的 ???N+ 基板上加一层 ???P+ 基板，形成了四层结构，由 PNP － NPN 晶体管构成 IGBT 。但是， NPN 晶体管和发射极由于铝电极短路，设计时尽可能使 NPN 不起作用。所 ? 以说， IGBT 的基本工作与 NPN 晶体管无关，可以认为是将 N 沟道 MOSFET 作为输入极， PNP 晶体管作为输出极的单向达林顿管。 ???? 采取这样的结构可在 N 一层作电导率调制，提高电流密度。这是因 ?? 为从 P+ 基板经过 N+ 层向高电阻的 ???N-- 层注入少量载流子的结果。 IGBT 的设计是通过 PNP － NPN 晶体管的连接形成晶闸管。 IG?BT 的工作原理和工作特性 ????IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。 ?????? 当 ?MOSFET 的沟道形成后，从 ?P+ 基极注入到 ?N 一层的空穴（少子），对 N 一层进行电导调制，减小 N 一层的电阻，使 IGBT 在高电压 ?? 时，也具有低的通态电压。 ??????IGBT 的工作特性包括静态和动态两类： ??????1 ．静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和 ?? 开关特性。 ??????IGBT 的伏安特性是指以栅源电压 Ugs 为参变量时，漏极电流与 ?? 栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压 Ugs 的控 制， Ugs 越高， Id 越大。它与 GTR 的输出特性相似．也可分为饱和 ?? 区 1 、放大区 2 和击穿特性 3 部分。在截止状态下的 IGBT ，正向电 ?? 压由 J2 结承担，反向电压由 J1