GaN基功率型微波双异质结构场效应晶体管的技术发展.pdfVIP

GaN基功率型微波双异质结构场效 应晶体管的技术发展 S．I．Petrov~,A．N．Alexeev1，D．M ．Krasovitskyz,V．P．Chaly (I．SemiTEq股份公司，俄罗斯圣彼得堡； 2．Svetlana—Rost股份公司，俄罗斯圣彼得堡) 摘 要 ：有关结果表 明，在氨分子柬外延 STE3N2系统 中，以极高的温度 (1100—1150℃)让氮 化铝缓冲层进 行增长是为 DHFET(双异质 结构场效应 晶体管)通道 获得 高品质 GaN(氮化镓) 层的关键步骤。缓冲层从包含 A1N(氮化铝)、A1GaN／A1N(氮化铝镓 ／氮化铝)超 晶格 与 A1GaN (氮化铝镓)过渡层 的C．蓝宝石衬底开始排列。透射 电子显微镜 的研究表 明，穿透位错密度从 AlN层的(2-4)×10。cm。逐渐减少到顶部 GaN活动层的(9～10)×10cm。。结构质量 的改善 使得 电子迁移率大幅度增长至 600 650cmEN ·S，而在 一个 1．5 m 厚 、略含硅元素的GaN顶 层 中高达 3×l0～5×10 cm。。这些结果表 明生长于蓝宝石上 的金属有机气相沉积 GaN具有 良好 品质 ，并且 比传统的分子束外延好几倍 。在带有 AlxGa1 顶部 阻挡层 (=0．25—0．4)的双 异质结构 (DH)中使用这样一个 GaN层可以让二维电子气中的电子面密度 、迁移率与薄层 电阻 分别在 130041700cm2／V ·S、(1．0～1．8)×l0”cm 与 230~400Q／sq的范围内发生变化 。该技 术 的应用以及为了在 SiC(碳化硅)基板上生长而采用的DH设计使得我们可以为0．03～4．0GHz 的超宽频功率放大器 (输 出功率为2．5w、增益为 17～25dB、效率为 30％)制造 出一个带有 0．5Ixm 门信号宽度 的DHFET 关键词 ：分子束外延 (MBE)系统 ；氮化铝 (AIN)；氮化镓 (GaN)；三族氮化物；双异质结构场效应 晶体管(DHFET) 中图分类号 ：TN432 文献标识码 ：A 文章编号2013)02．03—0017．05 TechnologyDevelopmentforGaN Based Power M icrowaveDHFET S．I．Petrov，A．N．Alexeev ，D．M ．Krasovitsky2，V．P,Chalyz (1．SemiTEqJSC，Saint-Petersburg，Russia；2．Svetlana—RostJSC,Saint-Petersburg，Russia) Abstract：ThegrowthofA1Nbufferlayeratextremelyhightemperature(1l00～1150℃)inammonia MBESTE3N2system isshowntobethekeysteptoobtainhil曲 qualityGaN layersforDHFET 收稿 日期 ：2013．02．19 衄曩团困(?2Jg217期)．⑨ channels．Thebufferlayersequencefrom c-sapphiresubstrateinvolvedA1N．AlGaN／A1N superlattice andA1GaN transition layers．TEM study showed gradualdecreaseofthreading dislocation density rfom (2～4)×10mcm inA1Nto(9～10)×10cm。。inthetopGaNactivelayer．Theimprovement ofstructuralqualityresultedinsubstantialincreaseinelectronmobiliyt upto600~650cmZ／V 。sina 1