CMP大盘结构研究.pdfVIP

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团 追鱼 茎 CMP大盘结构研究 陈 波,徐存 良 (中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京 101601 摘 要 :在 CMP设备 中,大盘的整体性能直接影响抛光后 晶圆的表面质量和整体面型精度。分 析 了三种大盘的受力结构 ,选择应用交叉圆锥滚子轴承的结构为最优 。给 出了抛光大盘 的陶瓷台 面的温度控制水道的三个分布模式。 关键词 :表面跳动;水压;温度 ;轴向跳动 中图分类号 :TN305 文献标识码 :A 文章编号 :1004—4507(2013)02.03.0033。05 StudyoftheTableSStructureinCM PDevice CHEN Bo.XU Cunliang fThe45ResearchInstituteofCETC,Beijing101601,China) Abstract:IntheCMPdevice,themaintable’Sperformancedirectinfluencethes~Ncequalityandthe overallsurfaceprecisionofthepolishedwaf-er.Analysishtreestructuresofthemaintable,Selectthe structurewhichusethecrossedrollerbearing foroptima1.Listthreewaterchannelpattersofrthe temperaturecontroloftheceramictable. Keywords:Surfacerunout;hydraulicpressure;Temperautre;Axisrunout 抛光大盘是 CMP设备上 的重要部件 ,其整体 载器吸附晶圆压在大盘上做旋转运动,角速度 刚性、表面跳动、旋转精度直接影响晶圆抛光后的 OJ,大盘 自转角速度 ,晶圆与大盘的相对运动 整体面型精度和表面质量 。对抛光大盘的受力状 形成摩擦去除晶圆的化学反应层 。由于材料的去 态和性能要求进行分析从而找到合适的部件结构 除率与相对运动速度成正 比,故为使材料去除均 可以有效地降低加工和装配的难度并提高设备的 匀须使 = := 且 同向,此时由平面几何知识 整体性能。 可得抛光过程 中晶圆上任何一点相对于大盘的 速度均为: 1 抛光大盘工作时的运动及受力分析 V=OO ·tO 在抛光过程 中晶圆圆心位于抛光大盘半径的 抛光大盘工作时的运动原理如图 1所示,承 中心位置 附近 ,抛光大盘的受力模型如图2所示。 收稿 日期 :2013.01.08 基金项 目:国家 O2重大专项(项 目编号:2009ZX02011-005A) 遣鱼皇茎 星茎 墓 团 分布比较复杂,但通过区域压力控制技术和保持 环的应用基本可 以保证在抛光过程 中晶圆对抛光 布的压力为均匀分布 。故抛光大盘的受力为垂直 向下的均匀分布力F和与运动方 向相反的摩擦阻 l 力 。这两个力对大盘

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