NbSe2晶体的制备及电学特性的研究.pdfVIP

维普资讯 第 25卷第 1期 物 理 测试 VoI．25，No．1 2007年 1月 PhysicsExaminationandTesting Jan．2007 NbSe2晶体 的制备及 电学特性 的研究 叶德枢， 王洪涛， 王 璐， 李 晖， 项王佐 (温州大学物理与 电子信息学院，浙江 温州 325027) 摘 要 ：文章对蜡源方波材料 NbSe晶体 的制备及其 电学特性进行综述 ，介绍 了利用化学气相输运法制备 NbSez 晶体 。测试出NbSe 晶体 的临界温度为 7．2K，3OK 附近发生 CDW转变 ，出现 了CDW 和超导电性共存 的现象， 通过分析 NbSe 晶体 的p-T曲线和 NbSez晶体 的XRD图谱 ，讨论了低温下NbSez晶体 的重入现象。 关键词 ：NbSe；电学特性 ；综述 中图分类号：TG146 文献标识码 ：A 文章编号：1001—0777(2007)01—0020—03 Preparation ofNbSe2CrystalanditsElectricityCharacteristic YE De—shu， W ANG Hong—tao， W ANG Lu， LIHui， XIANG W ang—ZUO (PhysicsandElectronicsInformationCollege，WenzhouUniversity，Wenzhou，325027Zh~iang，China) Abstract：PreparationofNbSe2crystalanditselectricitycharacteristicareoverviewed．Thecriticaltemperatureof theNbSe2Crystalsareestimatedat7．2K．ThetransitionpointofCDW isnearto30kaccompanyingwiththeSU— perconductivitingphenomenon．ByanalyzingtheXRD patternsand thep-T curveofNbSez，thereappearanceof theSbSe2crystalsatlow temperaturearediscused． Keywords：NbSez；electricitycharacteristic；overview 二元化合物的超导材料如 Mg 超导体是前 2 实验数据与分析 几年的研究热点 ，各种特性也已研究 ，但其超导临界 采用标准 四引线法测量样品的电阻率与温度的 转变温度 T 值仅近 40K，其研究意义不太大_2]。 关系(图 1)。 现在低维硫族化合物如 NbSe等 ，因其制备工艺简 2．1 NbSe2晶体 的XRD图谱 单 ，且存在 CDW 和超 导共存 的现象 ，成为研究热 点_3]。NbSe。是比较有使用价值的超导材料 ，可 以 NbSe 晶体样 品的XRD图谱 (图2)证 明所示 材料制备成 功。所有衍射 峰都可用 六角 晶系 的 广泛 的应用于科研、医疗 、交通等方面 。对 NbSe 的制备方法及研究 电学特性进行综述 ，对今后 的研 (001)衍射峰来指标化 ，并据此计算 出c轴晶格常数 究具有一定 的参考意义。 为 12．53A。