水热法一步合成AgZnO催化剂及其光催化性能研究.pdfVIP

水热法一步合成Ag／ZnO催化剂及其光催化性能研究幸 来佑磊，李兆强，孟明” (天津市应用催化科学与工程重点实验室，天津大学化工学院催化科学与工程系，天津300072) 关键词：水热，一步合成，Ag／ZnO复合物，光催化 环境污染已经影响到人类的生存与发展，如何采用低能耗高效率的方法解决环境污染问题是近 年来环境光催化领域的研究热点之一。ZnO是一种常见的半导体，禁带宽度3．37eV，具有优良的光 催化性能和广泛的应用前景；将贵金属负载于光催化材料表面，有利于电子一空穴的分离，从而提 高光催化性能llJ。水热合成方法操作简单，环境污染小，易于实现催化剂的大批量生产【21。本文使用 水热合成法一步成功合成Ag／ZnO催化剂，研究了Ag的掺杂量对催化剂光催化性能的影响。 1．实验部分 采用醋酸锌、柠檬酸、硝酸银为原料，将一定量的原料在碱性环境中反应完全后于1200C进行 水热处理，产物用去离子水和无水乙醇洗涤后常温干燥，通过调节硝酸银用量来制备一系列Ag／ZnO 催化剂。采用有机染料罗丹明B的紫外光降解为模型反应，考察了催化剂的光催化性能。降解率用 2．结果与讨论 uIgo一葛口。一苗薯‰3G Agloading／％ 20尸 图l反应进行10min时各催化剂上罗丹明B的降解率 图2Ag／ZnO系列催化剂XRD图 (ZAX：Ag的摩尔百分比为x％的Ag／ZnO复合物) 图l为反应进行10min时各催化剂上罗丹明B的降解率，可以看出，Ag的掺杂量对催化活性 有明显影响：随着Ag含量的增加，降解率先增加后减小，呈火山型曲线，其中Ag的掺杂量为5％ 时活性最高。适量Ag的掺杂有利于半导体电子一空穴的分离，提高光催化效率，但是如果Ag的掺 杂量过多会覆盖在催化剂表面，影响ZnO对光的吸收，降低光的利用效率，进而使反应活性降低， ’ 国家自然科学基金和教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET．07．0599)资助项目 ”通讯联系人，mengm@tju．edu．ca 352 因此Ag的掺杂量有一最优值。 逐渐增强，为面心立方结构；ZnO始终保持纤锌矿结构，衍射峰位置投有偏移．说明Ag未进入ZnO 晶格。与标准卡片相对比．发现ZnO的【002】晶面表现出较强的生长取向。 圈3ZA5透射电境照片(左圈)及左图圆圈处对应能谱圈(右圈) 粒大小约为20rim-呈球形且根好的枯附在ZnO上：其它Ag含量的催化剂也具有娄似的结构。 图4为Ag／ZnO系列催化剂的UV-vis吸收曲线， 400am附近为ZaO吸收带边．450nm附近出现A2 的表面等离子吸收峰．Ag的加入改变了ZnO的吸 收带边，随着Ag含量的增加吸收带边向长被长方向 移动；Ag的表面等离子吸收峰的出现证明了金属 Ag的存在…。Ag的加入能够很好地调变了ZnO的j一∞口SuI 能带结构．因而促进了ZnO的光催化效率。 3结论 使用水热法一步成功台成了Ag／ZnO催化剂， 该催化剂具有纳米尺度的规则形貌：金属AE能够稳 X^吼 定地附着在ZnO上并对ZnO的能带结构产生影响， 进而影响催化剂的光催化效率：A酣M催化剂的活 图4A啦l-0系列催化剂UV-vis吸收曲线 性随Ag含量变化里火山型，最佳掺杂量为5％。 参考文献 II】Yuny孤Zlamg．JinMu，』ColloidlmerfaceScl，2007，309(2)：478-484 LjuHua Chem溉2003。12S：4430J431 口】Bin 0l叽zc吣』Am Zl|虮Hal，l帕rg．ckm，2007，●6(17)：6980-6986 【3】Yu∞huiZheng,LimngZheng,Yingying