GL-I 方程在超导磁悬浮涡旋电流元模型中应用.pdfVIP

第37 卷 增刊4 稀有金属材料与工程 Vol.37, Suppl..4 2008 年 10 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING October 2008 GL-I 方程在超导磁悬浮涡旋电流元模型中应用 李平林 (郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州，450052) 摘 要: 由于现有超导磁悬浮理论为超导体设置边界，严重限制了对其超导态内部特征的认识，一些参数设置与实际应用情况也有相当 距离。为了避免其局限性，我们根据超导磁悬浮特征，将涡旋电流（VC ）作为独立的微磁场源与外磁场相互作用，并取自然边界，经 过严格推导，建立了超导磁悬浮力表达式，理论计算与实验观测比较效果良好。用 GL-I 方程求解超导电子密度可进而提高理论计算精度， 结合高分辨率超导磁悬浮力和磁场观测，以期能够建立超导透析技术。 关键词: 超导磁悬浮，涡旋电流元(VC)，自然边界，GL-I 方程，超导透析技术 中图法分类号： 0511 文献标识码： A 文章编号： 1002-185 X （2008 ）S4-053-03 1 引言 2 超导涡旋电流元与悬浮力 半个多世纪以来，GL 理论在超导理论和应用研究中 2.1 涡旋电流元与自然边界：按照迈斯纳效应，超导体 一直发挥着重要作用。尤其目前的许多实用超导技术， 具有完全抗磁性，磁场被完全排出超导体之外，这样的 正是该理论对超导现象深刻描述的结果。随着理论研究 边界设置简单明了[5-7]，一般的数学物理教科书中很容易 的深入，BCS 理论从微观上成功描述了常规超导电性， 找到。而超导磁悬浮所用均为第二类超导体，磁场穿透 然而，高温超导的发现却使 BCS 理论的微观描述失效。 情况呈现动态变化，任何边界设置都将造成理论与实际 作为唯象描述的 LG理论不仅在高温超导中依然成立，而 悬浮特征的严重偏离，Bean模型让磁通线穿透一定深度 且适用范围还不断扩大，充分显示了 GL 理论的卓越价 的边界设置[8]也不例外。另外，在实际应用中永磁体和 值。由于超导磁悬浮技术发展较晚，相关理论研究明显 超导体一般都是圆柱形，而偶极子磁场中不同形状超导 不足，GL 理论向该领域的深入也十分有限。相比较而言， 体的响应只是便于讨论的特例，无论是磁场和超导体布 目前实验研究已取得了丰富的成果，基本澄清了超导磁 局，还是边界设置都与实际应用还有相当距离。 悬浮力的诸多表现特征。如样品的形状和厚度、结晶状 概览目前理论研究所遇到的难题，主要是将超导体 况、晶粒取向[1]、临界电流密度、磁通密度和磁场梯度[2] 视为整体对磁场响应造成的。如果将超导体中的涡旋电 等因素对悬浮力的影响。然而这些却仅是观测数据的统 流作为独立的磁场源（图1），每个涡旋电流元产生一个 计总结，缺乏明确的理论模型给予描述。尽管已提出不 磁矩元与永磁体相互作用，这样即可用基本电磁场理论 少理论模型，如 Carles Navau 等人的常梯度模型[3]、Bean 描述超导磁悬浮力特征。涡旋电流密度分布即决定了悬 临界态模型，以及抗磁性模型、磁滞模型[4]等。其对超 浮力与外磁场的关系，超导体之外涡旋电流元消失，与 导磁悬浮特征的描述与实际应用都有一定差距，需要进 [5] [6] [7] 一步的理论研。近期 Coffey 、Lin 、 Palaniappan 等人的相关讨论凸现了理论研究之迫切。作者分析了各 种理论的局限性，根据超导磁悬浮特征，将涡旋电流（VC） 作为独立的微磁场源与外磁场相互作用，并取超导体自 然边界，经过严格推导，建立了超导磁悬浮力表达式， 按照实验设置的各种参数[1] 进行理论计算