生长压力对GaN薄膜生长速率和结构特性的影响.pdfVIP

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2017-09-13 发布于重庆
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生长压力对GaN薄膜生长速率和结构特性的影响.pdf

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2009 年第 54 卷第 9 期: 1214 ~ 1217 SCIENCE IN CHINA PRESS GaN * , , , , , 710071 * , E-mail: yhao@ 2008-11-26 , 2009-02-08 (:(: XA-AM-200703) GaN . , 2500 Pa 20000 Pa, GaN , . GaN . GaN , GaN . GaN , . , GaN , GaN X . / GaN , GaN . . 1 , AlN GaN [1,2] LPMOCVD , GaN . , c GaN . GaN , X . , . [3,4] [5] 1000 10 min, , GaN [6~9] GaN 475 30 nm GaN , . Fini [9], 1000 GaN . (760 Torr)(76 Torr)(1 Torr = 133 Pa) GaN 5000 Pa, GaN , GaN , GaN GaN , , 2500, 5000, 10000 GaN . 20000 Pa. (5000 Pa , ), GaN (LPMOCVD) . GaN . , 2500 Pa 20000 Pa , 4 GaN . 1.2 µm . GaN , GaN , Beckman DU-640 GaN ,