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第 27 卷 第 11 期 半 导 体 学 报 Vol . 27 No . 11
2006 年 11 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Nov . ,2006
数值分析渐变 D BR 对垂直腔面发射激光器
谐振腔模的影响
王小东 吴旭明 王 青 曹玉莲 何国荣 谭满清
( 中国科学院半导体研究所 , 北京 100083)
摘要 : 通过数值分析研究了含线性渐变层的 Al0. 9 Ga0. 1 A s/ Aly Ga1 - y A s/ GaA s/ Alx Ga1 - x A s DBR 的光学特性及其
对 V CSEL 谐振腔光学特性的影响 ,建立了渐变型 DBR 渐变层厚度与折射率的关系 ,通过特征矩阵法计算了突变
GaA s/ Al0. 9 Ga0. 1 A s DBR 和渐变型 DB R 的反射谱和反射相移 ,分析了渐变层对 DBR 反射率和反射相移的影响. 对
渐变型 DBR ,要使 V CSEL 谐振腔满足中心波长相位匹配条件 ,还需要在 DBR 靠近谐振腔一侧的最前面增加一定
厚度的渐变层 ,称为相位匹配层. 通过计算 ,我们得到了使 V CSEL 谐振腔满足相位匹配条件时均匀层和相位匹配
层的厚度.
关键词 : 垂直腔面发射激光器 ; DBR ; 反射谱 ; 反射相移 ; 特征矩阵法
PACC : 0260 ; 7280 E ; 8160C EEACC : 4320J
中图分类号 : TN 248 文献标识码 : A 文章编号 : 02534 177 (2006) 1120 1104
度的渐变层才能使整个 DB R 在 中心波长处满足
1 引言 V CSEL 谐振腔相位匹配条件 ,称为相位匹配层 ,通
过计算 ,我们得到了 V CSEL 谐振腔满足中心波长
( μ ) 相位匹配条件时 ,渐变 DB R 均匀层和相位匹配层的
长波长 13 ～ 15 m 垂直腔面发射激光器
(V CSEL ) 因其优良的特性有望成为光纤通信 、光互 厚度.
连和并行光信息处理系统中很有吸引力的光源[ 1 ] .
采用 InA s 量子点或者 In GaN A s 量子阱作为 V C 2 计算方法
SEL 有源区 ,可以将 GaA s 基 V CSEL 波长扩展到
μ 利用特征矩阵方法 , 可 以得 出膜系的如下关
13 m . 目前已有报导采用 InA s 量子点有源区和双
内腔接触电极的长波长 GaA s 基 V CSEL 实现了室 系[ 8 ] :
温直流激射[2 ] ,而高反射率 、低串联电阻的 GaA s 基 k c os δ i si n δ
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