消除CCD不良背景工艺研究.pdfVIP

《半导体光电》2008 年 6 月第 29 卷第 3 期 李 　平 等 : 　消除 CCD 不良背景的工艺研究 材料 、结构及工艺 消除 CCD 不良背景的工艺研究 李 　平 , 郑杏平 , 李仁豪 , 雷仁方 , 许 　宏 , 韩恒利 , 陈　捷 , 张故万 , 汪 　琳 ( 重庆光电技术研究所 ,重庆 400060) ( ) 摘 　要 : 　对电荷耦合器件 CCD 交流成像中存在的背景发白、亮条 、亮点、拖影和固定图像噪 声等不良背景进行了分析 ,并提出了调整栅介质生长方法 、本征吸杂 、低温退火等消除不 良背景的 具体工艺方法 ,获得了高质量的 CCD 器件 。测试结果表明 ,其交流成像中的不良背景得到了有效 控制 。 关键词 : 　电荷耦合器件 ; 不良背景 ; 栅介质 ; 本征吸杂 ; 低温退火 中图分类号 : TN 386 . 5 　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 5868 (2008) 03 - 0387 - 03 Study on El iminating CCD ’s Harmf ul Background L I Pin g , ZH EN G Xingp ing , L I Renhao , L EI Renf ang , XU Hong , HAN Hengli , C H EN J ie , ZHAN G Guwan , WAN G Lin ( Chongqing Optoelectronics Research Institute , Chongqing 400060 , CHN) Abstract : 　A nalyzed were t he har mf ul background s , such a s w hit enin g , bright f rin gle , bright spot , defer red t ail s and fixed image noi se , exi sting in CCD ( Char ge Coup led Device) A C imaging t e st . The met ho d of mo dulatin g t he gat e dielect ric growt h , t he int rin sic get t erin g t echnique and low t emp erat ure annealing t echnique were app lied to eliminat e har mf ul backgro unds. The t e st re sult s indicat e t hat t he har mf ul background s were well cont rolled an d highqualit y CCD s were obt ained . Key words : 　CCD ; har mf ul back groun d ; gat e dielect ric ; int rin sic get t ering t echnique ; low t emp erat ure annealing 1 　引言 成像的不良背景得到了有效控制 。 ( ) 近年来 ,CCD 电荷耦合器件 图像传感器取得 2 　CCD 的不良背景及其成因分析 了令人瞩目的发展 , 已在摄影 、监控 、侦察 、航天遥感 等民用及军用领域得到了越来越广泛的应用[ 1 ] 。但