正对电极结构型碳化硅光导开关制备与性能研究.pdfVIP

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2017-09-13 发布于重庆
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正对电极结构型碳化硅光导开关制备与性能研究.pdf

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第27 卷第 10 期无机材料学报 Vol. 27 No. 10 2012 年10 月 Journal of Inorganic Materials Oct., 2012 文章编号: 1000-324X(2012)10-1058-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.11749 正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究 1, 2 1 1 1, 2 1 1 常少辉 , 刘学超 , 黄维 , 周天宇 , 杨建华 , 施尔畏 (1. 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 200050; 2. 中国科学院研究生院, 北京 100049) 摘要: 采用钒掺杂半绝缘6H-SiC 衬底, 以Ni/Au 为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关, 对SiC 光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试, 着重研究了SiC 光导开关的光电吸收效应和光电响应性能. 实验结果表明, 532 nm 的激光激发的脉冲信号宽度远小于1064 nm 的激光激发的脉冲信号宽度, 半绝缘 6H-SiC 衬底对532 nm 激光的吸收系数在0.601~0.692 mm– 1 之间; 采用532 nm 的激光激发光导开关, 获得了纳秒量级的响应信号; 流经开关的瞬态电流随着外加电压和激发光能量的增加而增大, 随着衬底厚度的增加而减小. 关键词: 光导开关; 钒掺杂6H-SiC; 正对电极结构中图分类号: TN36 文献标识码: A Preparation and Properties of Lateral Contact Structure SiC Photoconductive Semiconductor Switches 1,2 1 1 1,2 1 1 CHANG Shao-Hui , LIU Xue-Chao , HUANG Wei , ZHOU Tian-Yu , YANG Jian-Hua , SHI Er-Wei (1. Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China; 2. Graduate University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) Abstract: A series of lateral structural photoconductive semiconductor switches (PCSS) were fabricated on V-doped semi