基于结构函数的功率MOSFET器件热阻研究.pdfVIP

第35卷 第5期 电 子 器 件 V01．35 No．5 2012年 l0月 ChineseJournalofElectronDevices Oct．2012 ResearchonThermalResistanceinthePowerM oSFET Device BasedonStructureFunction XIAO Chao，WANGLixin (InstituteofMicroelectroneisofChineseAcademyofSciences，Be~jing100029，China) Abstract：ThethermalresistanceisanimportantparameterofpowerMOSFET device．whichiSusedtoreflectthe abilityofheatdissipation．Itisworthy toaccuratelymeasuringand analyzingthethermalresistance ofpower MOSFET device．Two kindsofcumulativestructurefunction are obtainedbytwo experimentsunderdifferent conditions．Theseparationpointoftwokindsofcumulative structurefunctioncan be specifiedasthethermal resistanceofjunctiontoeaseofpowerMOSFETdevice．Thismethodissimple，accurateandrepetitiveandthe experimentresult0．5 K／W accordswellwith theFiniteElementMethod0．44 K／W ．Compared two different differentialstructurefunctionsandtheshiftofonedifferentialstructurefunctioniSidentified．Furtherresearchbased SAM demonstratessolderlayervoidcausestheshiftofdifferentialsturcturefunction．whichcanbeusedtoidentify thetechnologyofdevice． Keywords：powerMOSFET device；thermalresistance；structurefunction；SAM ；solderlayervoid EEACC：2570D；0170J doi：10．3969／j．issn．1005—949O．2012．05．OO1 基于结构函数的功率MOSFET器件热阻研究 肖 超，王立新 (中国科学院微电子研究所，北京 100029) 摘 要 ：热阻是衡量功率MOSFET器件散热能力的重要参数，对其准确测试与分析具有重要意义。基于结构函数理论，同一 功率MOSFET器件在不同条件下进行两次实验，通过积分结构函数分离点来确定器件热阻。该方法简单准确，可重复性好， 实验测试结果为0．5K／w，与有限元(FE)建模获得的0．44K／w符合较好。对比两不同批次器件的微分结构函数，其 中一种 器件微分结构函数发生0．2K／w偏移 ，超声波扫描 (SAM)发现该器件焊料层存有空洞，该方法可用来判断器件内部工艺的 好坏。 关键词 ：功率MOSFET器件；热阻；结构函数；超声波扫描；焊料空洞 中图分类号：TN386．1 文献标识码 ：A 文章编号：1005-9490(2012)05-0489-04 随着半导体技术的飞速发展，对功率半导体器 功率MOSFET器件热阻具有重要意义。 件的性能和集成度要求越来越高。这必然会带来一 在