一种低相位噪声LC压控振荡器的设计与实现.pdfVIP

一种低相位噪声LC压控振荡器的设计与实现.pdf

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第42卷第6期 东 南大 学学报 (自然科学版) Vo1.42 No.6 2012年 11月 JOURNALOFSOUTHEASTUNIVERSITY (NaturalScienceEdition) Nov.2012 doi:10.3969/j.issn.1001—0505.2012.06.006 一 种低相位噪声 LC压控振荡器的设计与实现 常昌远 王绍权 陈 瑶 余东升 (东南大学集成电路学院,南京210096) 摘要:基于TSMC0.35txmCMOS工艺,设计并实现了一种用于锁相环(PLL)频率合成器 中的 低相位噪声LC压控振荡器.这种压控振荡器采用互补交叉耦合差分结构,利用开关电容阵列技 术增大频率调谐范围,并结合大滤波电容、二次谐波谐振滤波网络、开关电容阵列和偏置滤波网 络来降低相位噪声.采用TSMC0.35ixmCMOS工艺完成前仿真、版图设计与后仿真,芯片面积 为1285.3 m×1162.7ixm.流片测试结果显示,LC压控振荡器的频率调谐范围为 1.558~ 2.065GHz,调谐范围高达28%,中心频率处的相位噪声为一133.3dBc/Hz@1MHz,综合性能 指数为 一183.3dBc/Hz.由此表 明,所设计的压控振荡器具有比较优异的综合性能. 关键词:LC压控振荡器;相位噪声;开关电容阵列;CMOS 中图分类号:TN432 文献标志码 :A 文章编号:1001—0505(2012)06.1052-06 Designand implementationofLC voltagecontrolledoscillator with low phasenoise ChangChangyuan W angShaoquan Chen Yao YuDongsheng (SchoolofIntegratedCircuit,SoutheastUniversity,Nanjing210096,China) Abstract:BasedonTSM C0.35 /xm CMOSprocess,afullyintegratedLC voltagecontrolledoscil. 1ator(VCO)usedinphaselockloop(PLL)rfequencysynthesizerwithlowphasenoiseisdesigned andimplemented.TheLCVCO hasacomplementationcross.coupledifferentia1structureandadopts switched。capacitortechniqueto increaserfequency tunerange.Largefiltering capacitance second , harmonicfilteringnetwork,switched—capacitorarrayandbiasfilternetworkareusedtoreducephase noise.Simulation,layoutdesign and post—simulation rae completed by TSMC 0.35 txm CM OS process.Thechipsizeis1285.3 Ixm × 1162.7 Ixm.Chiptestingresultsshow thattherfequency oftheLC VCO canbetunedrfom 1.558to2.065GHz.Thetunerangeis28% .Inthecenteroscil— lationrfequency,thephasenoiseoftheLC VCO canachieve 一133.3dBc/Hzat1MHz andthe

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