EB—PVD制备硅基SiC薄膜及其性能研究.pdfVIP

第 35卷 第 12期 合肥 工业 大 学 学报 (自然科学版) Vo1．35No．12 2012年 12月 JOURNALOFHEFEIUNIVERSITYOFTECHNOLOGY Dec．2012 Doi：10．3969／j．issn．1003—5060．2012．12．000 EB—PVD制备硅基 SiC薄膜及其性能研究 潘训刚， 何晓雄 ， 胡冰冰， 马志敏 (合肥工业大学 电子科学与应用物理学院，安徽 合肥 2300O9) 摘 要：文章采用电子束蒸发物理气相沉积 (EB-PVD)技术在单晶si片上制备SiC薄膜，通过台阶仪(surface profiler)、原子力显微镜(AFM)、半导体综合测试仪、x射线衍射 (XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面 形貌、电学性能及其结构进行分析。结果表明：SiC薄膜越厚，表面平均粗糙度越低 ；退火温度越高，薄膜结晶 质量越好；对SiC薄膜进行辐照的光频率越高，光电流越大。 关键词：SiC薄膜；电子束蒸发物理气相沉积；原子力显微镜；扫描电子显微镜；X射线衍射 中图分类号：TN305．8 文献标识码：A 文章编号：1003—5060(2012)12—1665—04 PreparationandpropertiesofSiC film depositedbyEB—PVD PAN Xun-gang， HEXiao—xiong， HU Bing—bing， MA Zhi-min (SchoolofElectronicScienceandAppliedPhysics，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009，China) Abstract：SiCfilm wasdepositedbyelectronbeam-physicalvapordeposition(EB-PVD)technologyon theSisubstrates．Thesurfacemorphology，photoelectricpropertiesandstructuresofthefilm were analyzedbysurfaceprofiler，atomicforcemicroscopy(AFM)，current—voltagetester，X-raydiffraction (XRD)andscanningelectronmicroscope(SEM )．Theresultsshow thatthethickertheSiC film，the lowerthesurfaceroughness；thecrystallinequalityofSiCfilm canbeimprovedwithhigherannealing temperature；thegreatertheincidentopticalfrequency，thehigherthecurrent． Keywords：SiC film ；electron beam-physicalvapordeposition(EB-PVD)；atomicforcemicroscopy (AFM )；scanningelectronmicroscope(SEM )；X-raydiffraction SiC材料硬度高、热膨胀系数小、具有优 良的 本文采用 EB-PVD技术，通过改变镀膜时 高温热稳定性和热导性，能够很好地抵御高能中 间、退火温度等工艺参数，在单晶Si(100)基片上 子辐射和a粒子的轰击u，因此广泛应用于超高 制备了SiC薄膜，采用 AFM、XRD、台阶仪和半 温陶瓷涂层、航天器抗热辐射涂层和聚变堆包层 导体特性测试仪对 SiC薄膜进行表征，研究EB- 、 结构材料等领域[2_。]。EB-PVD是以电子束为热 PVD技术制备 SiC薄膜的工艺参数与薄膜表面 源的一种蒸发镀膜方法，在真空环境下利用高能 平均粗糙度、电导率、结晶质量等性能的关系。 量密度的电子束轰击蒸镀材料 (金属、陶瓷等)使