黑硅材料的制备及其光学特性.pdfVIP

第33卷 第 12期 发 光 学 报 Vo1．33 No．12 2012年 l2月 CHINESE JOURNAL OFLUMINESCENCE Dec．，2012 文章编号 ：1000—7032(2012)12—1357-05 黑硅材料的制备及其光学特性 邵长金 ，何 静 ，刘邦武 ，夏 洋 ，李超波 (1．中国石油大学，北京 102249； 2．中国科学院微电子研究所，北京 100029) 摘要 ：采用金催化化学腐蚀和钝化两个过程成功制备了黑硅。利用原子力显微镜、分光光度计、红外光谱仪 和光致发光光谱仪分别对黑硅的微观结构、反射率 、表面状态和发光性能进行了研究。结果表明：黑硅表面 呈现山峰状的微观结构，其平均反射率可低至3．31％。光致发光光谱上出现了3个发光峰，分别由量子限制 效应 、硅氧烯 、杂质和缺陷引起。 关 键 词：黑硅 ；微观结构；反射率；红外光谱 ；光致发光光谱 中图分类号：0641：0443 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx1357 PreparationandOpticalCharacterizationofBlackSiliconMaterials SHAOChang-jin。，HEJing ，LIUBang—wu ，XIAYang，LIChao．bo (1．ChinaUniversityofPetroleum，Beijing102249，China； 2．InstituteofMicroelectronicsofChineseAcademyofSciences，Beijing100029，China) $Co~espondingAuthor．E—mail：liubangwu@ ime．ac．ca Abstract：TheblacksiliconhasbeensuccessfullyproducedbyAu particle-assistedchemicaletch- ing．Themicrostructure，reflectance，surfacemorphologyandphotoluminescencepropertiesofblack siliconhavebeeninvestigatedbyatomicforcemicroscope，spectrophot0meter，inrfaredspectrometer andph0t0luminescencespectrometer，respectively．Theresultsshow thattheobtainedblacksilicon exhibitsamountain—likestructurewiththeaveragereflectanceof3．31％．Themechanism ofblack siliconproducedbyAuparticle—assistedchemicaletchingisthecombinationofetchingeffectand passivationeffect．Thephot0luminescencespectrum canbeseparated intothreepeakswhichresults rfom quantum confinementeffect，siloxene，impurityanddefect，respectively． Keywords：blacksilicon；microstructure；reflectivity；infraredspectroscopy；phot0luminescencespectroscopy