半导体陶瓷的缺陷化学理论基础.pptVIP

半导体陶瓷是由一种或数种金属氧化物，采用陶瓷制备工艺制备的多晶体半导体材料 半导体陶瓷的典型特性 （1）材料的化学性质比较复杂，容易产生化学计量比的偏离，在晶格中形成固有点缺陷。 　在半导瓷中，晶体缺陷类型包括点缺陷、位错、晶界及表面等。点缺陷又可分为原子缺陷、电子缺陷、极化子、激子、声子等。其中的原子缺陷和电子缺陷可采用克鲁格维克（Kr?ger-Vink）符号系统来表征。 　以MO型氧化物晶体为例说明。用M表示金属元素，O表示氧，V代表空位，e代表电子，h代表空穴。 MO晶体中可能存在如下的各种点缺陷： （1）中性空位 （1）若MO晶体中形成肖脱基（Schottky）缺陷，可用如下反应式来表示： （2）弗伦克尔（Frenkel）缺陷的准化学反应式为 写出准化学反应的规则 （1）晶格结点相对数目（格点数）规则 （4）如果晶体中存在填隙原子，应在反应式中引入填隙空格点。 　例如，金属原子从气相进入MO晶体的填隙位置，则相应的准化学反应式写成： 化学势μ 化学势μ为一克分子的吉布斯（Gibbs）函数。 点缺陷准化学反应系统的质量作用定律 　若把含有各种点缺陷的晶体看成是固溶体，即把晶体中正常格点看成是溶剂，而把点缺陷看成是溶质，两者处于平衡状态。这样，可以把缺陷的形成与转化看成是一个准化学反应过程，因而就可以用质量作用定律描述点缺陷的形成与转化过程 * 5.4半导体物理 5.4.1半导体与p-n结 5.4.2半导体的物理效应 5.4.3能带理论在半导体中的应用 5.4.4半导体陶瓷的缺陷化学理论基础 2个学时 2个学时 2个学时 4个学时 5.4.4半导体陶瓷的缺陷化学理论基础 5.4.4.1克鲁格维克符号系统 5.4.4.2准化学反应 5.4.4.3质量作用定律 5.4.4.4半导体陶瓷的能带结构 5.4.4.5BaTiO3半导瓷的缺陷化学研究 与通常的硅、锗元素半导体或GaAs等化合物半导体相比有很大的差别 5.4.4半导体陶瓷的缺陷化学理论基础 （2）半导瓷氧化物分子是离子键，因此材料中载流子的迁移机理比一般半导体材料更为复杂 （3）半导瓷是多晶材料，存在晶界是其重要特性，并将会产生诸PTC效应、压敏效应等。 研究半导体陶瓷，采用一般的半导体理论是不够的。为了深入了解半导体陶瓷材料的电性能，就要研究晶体中存在的原子缺陷和电子缺陷这些点缺陷的产生、存在状态、相互依存、转化与运动的规律。为此，在统计热力学的基础上建立了缺陷化学理论，即利用热力学中的质量作用定律，研究各种缺陷的浓度与温度及氧分压的关系，从中找出各种缺陷形式的热力学参数，对照能带理论确定材料的各种电学参数。 5.4.4.1克鲁格维克符号系统 　位置用下标表示。MM表示处于M子晶格中的M原子，Mi代表金属填隙原子等 　电荷用上标表示。X代表中性；·代表正电荷；＇代表负电荷。 浓度用[ ]表示。电子浓度用n表示，空穴浓度用P表示。 （2）中性填隙原子 （3）中性反结构缺陷 （4）中性外来原子缺陷 （5）各种电离原子缺陷 （6）电子缺陷 点缺陷的化学平衡与准化学反应式 式中：0（零）代表完整晶体 0（零） 5.4.4.2准化学反应 （3）电子缺陷 　当五价磷原子代替晶格中四价硅原子，形成n型半导体，产生电荷缺陷，其准化学反应式为： 　 当三价硼原子代替晶格中四价硅原子，形成P型半导体，产生电荷缺陷，其准化学反应式为： 如MO化合物，正负离子结点数是1：1，即子晶格M中的格点数应等于子晶格O中的格点数。 （2）格点数变化规则 　反应过程中，当某种子晶格的格点数增加或减少时，另一种子晶格的格点数也相应增加或减少，以满足第一条关于“晶格结点相对数目”的规则。 例如，氧原子从气相（g）中进入MO晶体的反应式： O（氧）格点与M格点同时增加1个 （3）质量守恒： 　准化学反应式两边的质量总和应相等，其中空格点质量为零 （5）电中性条件 　在描述电离原子缺陷和电子缺陷形成的准化学反应时，必须符合晶体中的电中性条件，即晶格中带负电荷的质点总数与带正电荷的质点总数相等。 例如：镧（La）施主掺杂BaTiO3的电中性方程为： 质量作用定律表达形式 上式表明参与化学反应的物质，在反应达到平衡时，它们的分压应满足的关系。 式中： pi:组元i的分压 Vi:第i组元在化学反应中所改变的克分子数 Kp:定压平衡常数，是一个温度的函数 (1) 5.4.4.3质量作用定律 Ci——组元i的浓度 Ci=ni/V ni——组元i的克分子数 Kc——定容平衡常数，是温度的函数 Xi——克分子分数 Xi=ni/N K——平衡常数 (2) (3) 若平衡条件（1），或（2），或