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陈 强 胡乐莎 赵仕明 翟桂林 JII峨眉614200
东汽蛾眉半导体材料厂(所)。IEt
摘要：多晶硅还原预热启动方式中，有很多种启动方式，国内大部分最先采用的是氮气气氛下用卤素灯加热预启动方式，
或者用三相高压击穿启动。然而上述方式都存在启动时间长、设备成本较高等问题。因此针对现有多晶硅还原炉启动，本文
介绍了一种高压击穿二相烘烤一相的启动方式，更高效，更经济，更稳定。
关键词：高压击穿；多晶硅；氢气气氛；启动时间
中图分类号：TN304．05 文献标识码：A 文章编号：1001—9006(2011)01-0014—02
ofResearchon12Pairsof RodsCVD
Optimization Poly—-silicon
Reactor Method
Igniting
CHEN 0 Gui·-lin
Le--sha,ZHA
Qiang,HU Shi··ming,QU
ElectricE-MEISemiconductorMaterial andGraduate
(Donsf∞g Factory School，614200E-mei，Sichuan，China)
amseveralmethodsto the for methodsincludethe to the
Abstract：There ignitepoly-siliconreduction．Popular usinghalogenlightignite
is
rodsintheN2 orIo therods the3 which time and
atmosphereignite using phaseshigh-vohagevery consumingcostly．Thispaper
introducesanewmethodthat two rodsandroastthethird rod，whichhas tobe
byusingjust phases phase proven
ignites
andstable．
time
Keywords．high-voltageignite；poly-silicon；H2atmosphere；start-up
目前国内大部分多晶硅还原炉的启动是在氮 电压，硅芯就会被击穿，就会有电流流过，因此
气气氛下烘烤启动，这种启动方式安全系数高， 只要有足够的加热功率使得硅芯的温度升高到
但是启炉的成功率较低、启动时间较长，操作过 3200C以上，那么硅芯就比较容易击穿。
程复杂。后来采用三相高压击穿，但是其控制柜、 1．1击穿一相烘烤二相
隔离柜较多，设备成本高。为此结合峨半所的实 最开始的时候，大家采用的是用12kV的高
际情况，研究出了一种高压击穿二相烘烤另外一 压击穿一对硅芯，使得硅芯能快速的击穿并且能生
kV
相的启动方式，在现有的设备基
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