掺锂与锶对BLT微波介质陶瓷性能的影响-第24卷增刊.pdfVIP

维普资讯 第 24卷增刊 非金属矿 ． 24 eciiIi8Ⅲe 2呻1年 11月 Non．MetallicMines NOv．2001 掺锂与锶对BLT微波介质陶瓷性能的影响 徐建梅 熊胜虎 (中田地蕞太荦材料科学-b化学工程学院．走过 430074) 摘 薹 研完1t与乜的警杂量，保温时问，球磨砷问对BLT重盘介质晴瓷性毵的毒响。蛄果表明：当摹电量曲2~mI％时，畸竞的Q值 i高，警t量从 5moi％州20mc4％，晴瓷的舟电帝蕞避渐增太。保汪时间蝇长，奇 电常敷越太，而球蘑时间越长．介电性麓蟪重。 关键调 捧t 警矗 BLT氍是舟蕞曲瓷 70年代末．Kolar等报道了BaO．L啦O3．TiO2三 其中：QI、Q2为品质因数．C0、CL、C2为电容， 元系中富TiO2区具有较好的微波介电性质，并根据 tan8为损耗，D为器件厚度，S为表面积， 为真空 单晶模型推导出该系列的分子组成为BaO-Ln~．O3． 介电常数。 5TiO2。1980年，Razg0n报道了Ln=Pr和Gd的化 2 结果与讨论 合物结构具有惊人的相似性．之后Kawashima又发 现了Ln=Sm时材料同样具有较好的介电性质。有 许多学者对此作了研究．并提出此类三元化合物固 溶体分子式为 B Lns+2 Ti8‘O 。1984年， Matveeva在研究Ba375 5TiI8OH的基础上第一次 提出这类化合物的晶体模型，即类钙钛矿钨青铜结 构…。90年代，Ohsato[2】对该系列材料提出另一通 式Ba6mL幽+2Ti18oM0≤ ≤1)，对不同的镧系元 素固溶范围不同，随 值的变化物相也会有所变 化。 为了提高微渡介质陶瓷的介 电常致，人们也研 Ca)立悼 田 究了很多方法，如 HisakazuT_3用 u 和 Na取代 Ba2．结果发现，其介电常数大为提高．频率温度系 数也向负的方 向变化。MotoakiIH等用 sr取代 Ba，发现增大了陶瓷的 Q值。为了综合提高微波介 质陶瓷的性能，本实验同时加入u和sr|对掺杂量、 球磨时间和保温时间对其性能的影响进行了研究。 1 实验 按 比例 称 取SaCO~(纯度99．9％)、T；02 一 (99．7％)、L02O3(99．9％)若干克混合．加入去离子 水后．在塑料内衬的球磨罐中球磨。于 1050℃预烧 2小时，再加入 U2a (99．9％)和 SrO (99．9％) n0剥 羹码 进行球磨．压片后在 1250℃保温若干时间。 图1 Ba6．3 +2B】{0矗束材料的蛄椭 由于条件限制，由瓷的介电性能测量系采用上 表 l和表 2为在IkHz,的潮试频率下不弼的u 海仪表厂生产的高频 Q表，其最大有效频率为 和sr掺杂量、不阿的保温时闻，分别球砉30+24小 20MHz，可以间接测量 e和ran8。计算公式为： 时和48+3O小时的介电性能。由表 1和表2可知． tan8=((Q1一Q2)／(Q 【×Q2))×(C1+Co)／ 在没有加入 Li，且Sr的加入璧为2moi％时．Q值在 (Cl—C2) 不同的保温时间下均为最大。保持 Sr的加入量为 E=(C【一C2)×D，￡0×S 2moi％不变时，随着Li的掺A量增加，介l虐常敷变 一 45 — 维普资讯 大。保温时间的不同对介 电常数的影响也较大，随 Ti 八