一种可适应复杂互连电容结构边界元形体处理方法.pdfVIP

　第 25 卷第 2 期 半　导　体　学　报 . 25, . 2 V o l N o 　2004 年 2 月 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S F eb. , 2004 一种可适应复杂互连电容结构的 边界元形体处理方法 喻文健　王泽毅　王玉刚　陆涛涛　陈瑞明 (清华大学计算机科学与技术系, 北京　100084) 摘要: 针对当前集成电路中日益复杂的互连结构, 提出了一种边界元电容提取中的形体处理方法, 可适用于填充气 隙、保形介质、多平面介质, 以及任意复杂的寄生电容结构. 在该处理方法中采用多叉树组织三维形体对象, 并有效 地生成区域边界表面的信息. 数值实验表明, 该方法拓宽了边界元电容提取处理复杂结构的能力, 且具有较高效 率. 关键词: 寄生电容; 复杂互连结构; 边界元法; 形体处理 EEACC: 2570 中图分类号: TN 47　　　文献标识码: A 　　　文章编号: 02534 177 (2004) 0202 1407 这里的“区域”指均匀、各向同性的介质子区域, 其边 1　引言 界往往由导体表面、介质外表面和介质交界面三种 构成. 当前半导体集成电路工艺已发展到深亚微米, 近十年来, 半导体工艺不断发展, 出现了诸如填 [4 ] [ 5, 6 ] [7 ] 并继续向纳米尺度发展. 互连线间的电磁寄生效应 充气隙 、保形介质 以及铜工艺 中广泛采用的 ( ) 已成为影响电路延时、功耗及可靠性等重要性能的 多平面介质 多层的 latera l ox ide , 显著改善了互连 关键因素, 必须采用有效的方法对互连电容、电阻、 质量, 有效缓解了互连效应产生的负面影响. 此外, 若 [ 8 ] 电感等参数进行提取. 由于具有离散变量少、处理复 考虑多层保形介质 和通孔等, 一个互连寄生电容器 杂形体能力强及计算精度高等特点, 边界元法已成 中介质、导体的几何位置关系将非常复杂. 边界元法 [ 1～ 3 ] 为三维电容提取的主要方法之一 . 的离散化过程是在区域边界上进行和完成的, 需要为 在边界元电容提取中, 描述介质区域内静电场