600V GaN HEMT开关特性和封装研究.pdfVIP

第46卷第 12期 电力 电子技术 Vo1．46，No．12 2012年 12月 PowerElectronics December2012 600VGaNHEMT开关特性和封装研究 李祥生 ，黄立巍 ，郭莎莎，许 峰 (艾默生网络能源有限公司，广东 深圳 518057) 摘要：分析讨论了共源共栅级联结构 GaN晶体管的工作机理，研究了影响开关速度的主要因素．提 出了驱动电 路的设计方法。分析 了级联GaNHEMT反 向恢复电荷 的产生和影响因素 ，并与 SiC二极管进行比较。通过器件 开关特性测试平台，分别将级联 GaNHEMT与CoolMOS进行开关特性对比分析 ，与SiC二极管进行反向恢复特 性对比分析，定量比较了GaNHEMT与CoolMOS和 SiC二极管在无桥 PFC中的性能。分析验证了器件封装技 术对GaN开关性能的影响，指 出了高速器件封装技术的发展方向。 关键词 ：晶体管；开关特性；反 向恢复；封装 中图分类号：TN32 文献标识码：A 文章编号：1000一100X(2012)12—0077—04 Researchon SwitchingPerformanceandPackagingTechnicof600V GaN HEM T LIXiang—sheng，HUANG Li—wei，GUO Sha—sha，XU Feng (EmersonNetworkPowerCo．，Ltd．，Shenzhen518057，China) Abstract：ThispaperanalysesanddiscussestheworkingprincipleofcascodeconfiguredGaNtransistor，andinvestigates theinfl uencefactorsofswitchingspeed．Designmehtodofdrivingcircuitisproposedbasedontheanalysis．Thecomponents ofreverserecovery chargeofcascodeGaN HEMT areanalyzed，which rae compared with SiC SBD in experiment． SwitchingandreverserecoveryperformancesofGaN，CoolMOS andSiCSBD arecompraedusingaspecially designed testboard．According to thetestresults，performancesofbridgelessPFC topologiesbasedon GaN，CoolMOS and SiC SBD areevaluated．Th e impactofpackaging technology on switchingperfomr anceofGaN device isanalyzed，and the developmenttrendforhighspeeddeviceispointedout． Keywords：transistor；switchingperfomr ance；reverserecovery ；packaging 1 引 言 较了GaNHEMT与CoolMOS和SiC二极管的性能。 GaNHEMT开关 损 耗在 全 负 载 范 围 内优 于 GaN等宽禁带半导体材料临界击穿电场和电 CoolMOS，导通损耗两者相当；级联 GaN器件轻载 子迁移率均比si高。因此A1GaN／GaNHEMT(以下 时反向恢复损耗大于 Si