覆晶封装之底部填充剂注入的方法及其装置.pdfVIP

覆晶封裝之底部填充劑注入的方法及其裝置 黃榮堂 國立台北科技大學機械工程系 N S C - 8 8 - 2 2 1 2 - E - 0 2 7 - 0 0 1 摘 要 隨著科技的快速發展，人們所使用的電子產品也日漸的趨向精緻化及更小化，而 其決定性的技術乃在於半導體封裝技術。目前最受重視的覆晶(Flip-Chip)封裝技術雖 擁有多項的優點 ，但因覆晶底部充填多以毛細作用驅動，於充填過程需要耗費相當長 的時間而無法有效提高生產速率 ，所以遲遲無法為工業上所大量採用。 本文係以縮短覆晶(Flip-Chip)封裝製程時間為研究方向 ，主要之發展理念為 ：(1) 利用負壓原理；(2)利用射出成型原理及(3)採用開放式及封閉式模具，並利用抽氣的方 法實際設計兩種型式的模具 ，再經由實驗觀察此方法對充填過程的影響。 實驗中發現，抽氣對底部填充劑(Underfill)之流動有相當顯著的效果；而開放式的 充填方式在實用性及使用的彈性上較封閉式為佳，同時在對塗膠型式所做的實驗中發 現利用毛細作用的三邊塗膠充填會產生包風(Air trip) ，但加上抽氣後不僅可縮短充填 時間 ，連包風現象也可一並消除。 關鍵詞 ：覆晶(Flip-Chip) 、封裝(Packaging ) 、底部填充劑(Underfill) 、真空技術 (Vacuum) 。 一 、前言 此晶片與基板間之結合強度及凸塊與外界之隔離 便顯得相當重要 。[1] 隨著半導體工業的發展與進步 ，人們對於掌 為了增加晶片與基板之接合強度以及避免凸 上型電腦 、行動電話 、隨身聽等電子產品不僅僅 塊變質 ，因此需將底部填充劑(Underfill)注入晶片 要求壽命要長且不斷要求精緻化 、更小化。也就 與基板間的空隙(約50~70 mm) 中，藉此將凸塊團 是說，基板上安置的晶片、積體電路、元件等等， 團包住與空氣隔絕 ，如此一來不僅可藉著填充劑 所佔的面積越小越好 ，而關鍵的技術之一就是電 的隔離而避免材料變質 ，又可增加晶片與基板間 子元件的構裝和組裝 。 的接合強度。 覆晶(Flip-Chip)封裝技術與一般的半導體封 目前的覆晶封裝方法可分為下列幾種： 裝的最大不同在於把對外接腳線改成凸塊(Bump) 1. 毛細作用驅動之底部充填 ：為目前最廣泛使 並覆於基板上(如圖 1 所示) ，此一改變除了可以使 用的充填方法，先將晶片與基板回焊(reflow) 對外接腳數增加而有更高的傳輸密度外 ，還可以 連接後 ，再將底部填充劑塗覆於晶片周圍， 有效的減少晶片尺寸 ，再加上其低電感、高頻雜 利用毛細現象的作用使填充劑流入晶片與基 訊易控制等優點 ，使得覆晶封裝技術備受重視。