6H-SiC晶片集群磁流变研磨工艺优化.pdfVIP

中国科技论文在线 6H-SiC 晶片集群磁流变研磨工艺优化# ** 刘其，阎秋生，潘继生，路家斌，白振伟 （广东工业大学机电工程学院，广东广州 510006 ） 5 摘要：本文采用集群磁流变研磨方法对单晶6H-SiC 基片进行研磨试验，以材料去除率和表 面粗糙度为评价指标，分析了不同种类磨粒与羰基铁粉的粒径匹配性对加工效果的影响规 律，并对磁场强度、研磨压力、研磨盘转速和工件转速工艺参数进行了优化。试验结果表明， 当磨粒与羰基铁粉的粒径比约为1.5 时加工效果较好，各工艺参数对6H-SiC 加工的材料去 10 除率影响主次为：磁场强度研磨盘转速研磨压力工件转速，对表面粗糙度 Ra 的影响主 次为：磁场强度研磨压力 工件转速研磨盘转速。优化后的工艺参数组合为工件转速 60r/min