大功率垂直腔面发射激光器的相干性测量与分析.pdfVIP

第 32卷 第8期 发 光 学 报 Vol_32 No．8 2011年 8月 CHINESE JOURNAL OF LUM INESCENCE Aug．，2011 文章编号：1000-7032(2011)08-0834-05 大功率垂直腔面发射激光器的相干性测量与分析 史晶晶 ，秦 莉 ，宁永强 ， 刘 云 ，张金龙 ，曹军胜 ，王立军 (1．中国科学院激发态物理重点实验室 长春光学精密机械与物理研究所 ，吉林 长春 130033 2．中国科学院 研究生院，北京 100039) 摘要：通过有机化学气象沉积(MOCVD)技术在 n型GaAs衬底上生长制作了发射波长为850nm的VCSELs 4x4列阵器件，介绍了VCSELs的制作工艺流程。对器件进行了相干性测量，计算了干涉条纹可见度，分析了 影响干涉条纹可见度的因素。 关 键 词 ：垂直腔面发射激光器 ；列阵 ；相干性 中图分类号：T)N248．2 PACS：42．55． PACC：4255P 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx0834 本文制作了发射波长为850nm的VCSELs4x4 1 引 言 列阵器件，对器件进行了相干性测量，计算了干涉条 20世纪80年代初 ，东京工业大学的伊贺健 纹可见度，分析了影响干涉条纹可见度的因素。 一 提出了面发射激光器的概念 ，自此以后的3O余 2 器件制作和测试 系统 年里 ，垂直腔面发射激光器 (Vertical—eavitysur- face．emittinglasers，VCSELs)以其独特的性能引 本文所用 VCSELs为 850／1131顶发射 4X4列 起了大量科研工作者 的兴趣 ¨。J。与此 同时，随 阵，芯 片 是 通 过 金 属 有 机 化 学 气 相 沉 积 着薄膜生长等半导体工艺技术的不断发展和完 (MOCVD)技术在 n型 GaAs衬底上生长而成。 善，VCSELs也飞跃式地 向前发展。 目前 VCSELs 由多个量子 阱组成 的有源 区夹在 n型和 P型 已经成功应用于光通讯、光互连 、计算机网络、激 DBR之间。si掺杂的n型 DBR由34．5对 Al- Ga0lAs／A10_l2Gao 光打印和显示等领域 。但是，关于大功率VC— ． 88As组成 。有源区由3个量子 SELs相干特性 的应用却一直没有引起人们 的重 阱组成 ，垒厚 8nm，材料为 Al0_3GaAs；阱厚 6 视。大功率VCSELs相干性可 以应用于探测、全 am，材料为 GaAs。C掺杂 的P型 DBR 由20对 息技术、激光雷达和激光光纤通讯等领域，其中以 Al0_9Gao1As／AIol2Ga0_88As组成，用于输 出激光光 激光雷达的应用最为广泛。激光雷达的作用是精 束 。在有源层和顶部的p型 DBR之间有一层 30 确测量 目标位置、运动状态和形状，探测、识别、分 nm厚的Al0 Gao As层 ，可以被氧化成 A1O ，从 ． 98 ． 02 辨和跟踪 目标，而半导体激光器以其体积小、重量 而实现对光和电流的限制。图 1为 850am顶发 轻和便于携带等优点而越来越多地被用做激光雷 射