退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善.pdfVIP

第 32卷 南 8期 发 光 学 报 Vol_32 No．8 2011年 8月 CHINESE JOURNALOF LUMINESCENCE Aug．，2011 文章编号：1000-7032f2011)08-0844-04 退火处理对 ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 郭 亮 ，赵东旭 ，张振 中 ，李炳辉 ，张吉英 ，申德振’ 中国科学院 激发态物理重点实验室 长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033； 2．中国科学院研究生院，北京 100039) 摘要：通过介电泳方法定向排列了ZnO纳米线，制作了自组装有序的纳米线紫外探测器。为了适合在金叉 指电极上排列 ，用水热方法设计生长了超长的ZnO纳米线 ，并通过700℃的热退火处理，使得可利用的表面 缺陷增多。通过研究器件的光致发光光谱和光响应，发现光、暗电流比和响应恢复时间有显著提高 ，并分析 了其中可能的机理。 关 键 词 ：ZnO纳米线；介 电泳；纳米器件；紫外探测器 中图分类号：0472．8 PACS：78．60．Gz PACC：2940P 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx0844 ZnO纳米线的生长 ¨是将一定量等摩尔 比的乙 1 引 言 酸锌和六次甲基 四胺溶解于去离子水中，搅拌均 紫外探测器是一种重要的光电器件 ，在军事、 匀形成浓度为0．O1moL／L的反应溶液，然后再将 民用方面有着广泛的应用。近年来，直接带隙的 通过磁控溅射生长 了ZnO籽晶的硅衬底倒置放 宽禁带半导体材料 ZnO(室温E ：3．37eV)成为 入装有 15mL反应溶液的水热反应釜中。随后将 人们研究紫外探测器的热点之一 。n型 ZnO 反应釜放入烘箱中，温度维持在9O ，持续24h。 材料具有大的迁移率，同时ZnO纳米结构具有较 为了生长超长的Zn0纳米线 ，重复3次上述生长 好的单晶质量和大的比表面积，利用其制备的紫外 过程。退火样品是在 700cc的空气中退火 1h得 探测器具有高的内量子效率 J。然而一般制作纳 到的。然后将原生样品和退火处理 的ZnO纳米 米线器件需要精密而昂贵的实验设备，这不利于实 线样品分别用超声均匀分散在乙醇溶液中。 现大范围的广泛应用。关于多根 自组装纳米线器 用介电泳方法排列ZnO纳米线是在传统的 件的报道并不多，2009年 日本东京大学用气相沉 光刻金叉指电极上排列的。其 中金叉指电极指长 积的方法直接在电极上生长ZnO纳米线制作了紫 为500txm，指宽为6Ixm，指 间距为6txm。介 电 外探测器 。但是这种方法的可控性并不好。而 泳排列使用高频信号发生器在电极两端产生高频 介电泳方法则是一种简单 、可控的方法。 信号，其 中峰一峰电压为 15V，频率为 10MHz。然 本文通过简单的水热方法，设计生长超长的 后在 电极上滴加上述适量的ZnO纳米线溶液。 ZnO纳米线，然后用介电泳方法定 向排列 ZnO纳 维持 5min，切断电源。用 乙醇冲洗后烘干 ，即制 米线，制作出了自组装有序的纳米线紫外探测器。 作完成了纳米紫外探测器。 通过热退火处理 ，增加表面缺陷，提高器件 的光、 样品的形貌测试使用的是场发射扫描 电子显 暗电流比值 ，加快 了紫外光响应的恢复时间。 微镜 (FESEM，HitachiS-4800)。XRD谱测试用的