应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性研究.pdfVIP

西安理工大学学报 JournalofXi’anUniversityofTechnology(2008)Vo1．24No．4 385 文章编号：1006-4710(2008)04-0385-05 应变 SiGeSOIp-MOSFET温度特性研究 刘静，高勇，黄媛媛 (西安理工大学 自动化与信息工程学院，陕西西安 710048) 摘要：SiGeSOIp．MOSFET在高频、高速、低功耗、抗辐射方面具有极大的优势。但二氧化硅埋层较 低的热导率以及SiGe材料较低的热稳定性，使器件 内部 自加热效应的减弱或消除成为提高器件温 度特性的关键因素。对应变SiGeSOIP-MOSFET温度特性机理进行研究，给出了三种缓解MOS— FET器件内部 自加热效应的结构，并对其效果进行对比分析。结果表明：DSOI结构不适宜于低压 全耗尽型SO1器件；Si，N4-DSOI结构对 自加热的改善幅度较小；Si。N 埋层结构效果最好，尤其在低 温领域改善更为明显。 关键词 ：自加热效应；热稳定性；驱动电流 中图分类号：TN313 ．4 文献标识码 ：A ResearchonTemperatureCharacteristicsofSOIP．MOSFET withStrainedSiGeChannel ⅡUJing．GA0Yong，HUANG Yuan．yuan (FacultyofAutomationandInformationEngineering，Xi’anUniversityofTechnology，Xi’an710048，China) Abstract：fnleSOIp-MOSFETwithstrainedSiGechannelhasagreatadvantageinhigh一~equency，high- speed．1OW．powerandanti—radiation．Becauseoflowertherma1．stabilityofSiGeandlowerheat．conductiv— itvofSiO，．thetemperaturecharacteristicsofSOIP—MOSFETwithstrainedSiGechannelcanbeimproved wheninternal self-heatingeffectofdevice iSweakened oreliminated．Thetemperaturecharacteristics mechanismsoftheSOIP．MOSFETwithstrainedSiGechannelraeanalyzed．Th reekindsofstructuresrae giventodeduceself-heatingeffectofMOSFET andtheirimprovementsarealsoanalyzedandcompared． TheresultsindicatethattheDSOIstructureiSnotsuitableforthelOW voltagefuIldepletedSOIdevice． andtheimprovementofSi3N4一DSOIon serf-heatingeffectisnotsignificant，andtheSi3N4buriedlayer structureiSthebest．especiallyinthefieldoflOW．temperature． Keywords：self-heatingeffect；thermal—stability；drivecurrent 集成电路进人亚微米、深亚微米领域，传统 隔离，采用 SO1技术可以明显地减小短沟道效应的 MOSFET器件所采用的材料和器件结构将会接近或 影响，进一步实现低压、低耗、高速的目标 。SiGe 达到它们的极限，这就要求从器件制作材料和器件 SOlMOSFET融合二者的优点，与体 si沟道 MOS． 结构两方面进行突破