霍尔传感器测固体材料的杨氏模量及数据处理.pdfVIP

2010年6月 阴 山学 刊 Jun．2010 第24卷 第2期 旦 』 垒 ：堡 ： 霍尔传感器测固体材料的杨 氏模量及数据处理 李 维 玲 (包头师范学院物理科学与技术学院，内蒙古 包头014030) 摘 要：本实验主要应用霍尔位置传感器来测定固体材料的杨氏模量，由于应用霍尔位置传感器可以精 确测量微小位移，同时霍尔元件还有线性特性好、灵敏度高、稳定性好、使用方便等优点，所以霍尔元件在 自动 检测、自动控制和信息技术等方面得到了广泛的应用，用霍尔位置传感器测定固体材料的杨氏模量也成为理 工科院校的重要实验。 关键词 ：杨氏模量；霍尔位置传感器；微小位移；不确定度 中图分类号：04—33 文献标识码：A 文章编号：1004—1869(2010)02—0027—05 杨氏模量是表征固体材料弹性性质的特征物理量，是机械物件取材的重要依据，也是工程技术中常用的 常数。在弹性线度范围内，纵向弹性模量或杨氏模量都是指固体材料的应力同应变的比值。传统的测定固 体材料杨氏模量的方法有伸长法和梁弯曲法，但是无论用哪种方法，若要精确测定固体材料的杨氏模量则必 须测准材料在应力作用下产生的微小位移，所以固体材料杨氏模量的测定关键在于微小位移量的测量。本 实验就是利用一种近年来发展起来的霍尔元件——霍尔位置传感器来测量微小位移量进而测定固体材料的 杨氏模量的。 1 霍尔位置传感器的测距原理 1．1 霍尔效应及其产生机理 一 块长方形金属薄片或半导体薄片，若在某方向上通人电流，在其垂直方向上加以磁场B，则在垂直于 电流和磁场的方向上将产生电势差 ，这个现象称为 “霍尔效应”。 称为 “霍尔电压”，霍尔发现这个 电势 差 与电流强度 成正比，与磁场强度 曰成正比与薄片的厚度 d成反比，即： 竽 式中 称为霍尔系数，它表示产生霍尔效应能力的大小。霍尔电压的产生可以用洛伦磁力来解释 ¨]。 如图1所示，将一块厚度为d，宽度为b，长度为z的半导体薄片放置在磁场B中，磁场 沿z轴正方向。当 电流沿 轴正方向通过半导体时，若薄片中的载流子以平均速度 沿 轴负方向作定向运动，所受的洛伦磁 力为： =ev×B (2) 在 的作用下 自由电子受力偏转，结果向板面 “I”积累，同时在板面 “Ⅱ”上出现同数量的正电荷，这 样就形成一个沿Y轴负方向上的横向电场，使 自由电子在沿Y轴负方向上的洛伦磁力 的同时也受一个沿Y 轴正方向的电场力 ，设E为电场强度， 为霍尔片 I面与 Ⅱ面之间的电位差，则有： 埘 = E (3) 收稿 日期：2010—03—20 作者简介：李维玲 (1959一)，女，内蒙古包头人，副教授，研究方向：物理实验。 27 五将阻碍电荷的积累，最后达到稳定状态时有 = ，即有e =e 或 = 6，设载流子浓度为n， 单位时间内体积为 bd的载流子全部通过横截面，则电流强度 与流子平均速度 的关系为： = 6dne或 = ，所以 = ： 日 (4) 令上式中R=，则 =鲁，称为霍尔元件的灵敏度。 圈 1 1．2 用霍尔位置传感器测量微小位移的基本原理 霍尔元件置于磁感应强度为B的磁场中，在垂直于磁场方向通以电流 ，，则与这二者相垂直的方向上将 产生霍尔电势差 ： =KIB 式中K为元件灵敏度。如果保持霍尔元件的电流j不变，而使其