基于InAs／GaSb的二类、断带半导体量子阱中载流子的量子态.pdfVIP

2010年 lO月 皖 西 学 院 学 报 Oct．，20l0 第 26卷第 5期 JournalofWestAnhuiUniversity Vo1．26 ()．5 基于InAs／GaSb雌 、 魏相飞 ，杨富强 ，金 诚 ，宋丽影 ，袁 好 (1．皖西学院 材料与化工学院，安徽 六安 237012；2．山东省邹城市实验 中学．山东 邹城 273500) 摘 要 ：基于 InAs／GaSb的二类、断带半导体异质结构由于其特殊 的能带结构和独特 的光电性质而备受关注。主要研 究了 基于1nAs／GaSb的二类、断带半导体量子阱(A[Sb／InAs／GaSb／A1Sb)中电子和空穴的波函数和能级。通过直接求解有效质量近 似下的Schr6dinger方程得到电子(空穴)沿生长方向的能级和波函数 ，研究发现 ：电子和空穴的波函数在材料层的交界面上有一 定程度 的耦合 ，所 以该系统可以在新型光电器件方面有重要 的应用。 关键词 ：二类 、断带半导体量子阱；空穴；光电器件 中图分类号 ：TN3 文献标识码