Al-24%Si合金中五星柱状初生Si的生长机制.pdfVIP

第2O卷第 10期 中国有色金属学报 2010年 10月 01．2ONo．10 TheChineseJournalofNonferrousM etals oct．20lO 文章编号：1004-0609(2010)10—2003—06 AI．24％Si合金中五星柱状初生 Si的生长机制 胡慧芳，李华基 (重庆大学 材料科学与工程学院，重庆 400030) 摘 要：研究A1．24％Si合金铸态组织中五星柱状初生Si的立体形貌及生长机制。结果表明：混合酸腐蚀后，五 星柱状初生 Si内部出现平行于表层晶面、层层堆叠的生长迹线，与螺旋式生长线存在明显差别，表明Si晶生长 所依靠的台阶源并不是螺旋位错形成的；层错堆垛在五角多面体 Si晶核生长面{111}上产生高度分别为 6(111)3／ 和 23(111)／3的亚台阶，两类亚台阶交替产生的过程为 Si晶的生长提供永不消失的台阶源；萃取得到的五星柱状 初生 si的完整形貌显示其生长终端界面形态与五角多面体晶核一致，呈五角多面凹坑状；八面体团簇五重凝并形 成的五角多面体晶核，以层错在各 {111)生长面产生的两类亚台阶为生长台阶源，层层堆砌长大形成五星柱状初 生 Si。 关键词：五星柱状初生Si；层状生长迹线；亚台阶生长理论 中图分类号：TG146．2；TG111．4 文献标志码：A Growthmechanism offive-pyramidprismatic-shaped primarySiinhypereutecticAI·24％Sialloy HUHui-fang，LIHua-ji (CollegeofMaterialsSciencenadEngineering，ChongqingUniversity,Chongqing40030，China) Abstract：Thestereo-·morphologyandgrowthmechanism offive--pyramidprismatic--shapedprimarySiinhypereutectic A1—24％Sialloywerenivestigated．Theresultsshow thatthegrowthtracesofthefive-pyramidprismatic—shapedprimary Siexistslayerbylayer,parallelingwithhtesurfacecrystalplna e．Itisquitedifferentfrom htergowthtraceofthescrew dislocationrgowth．ThergowthstepsourcesrequiredforSiphasearesuppliedbya(111)／3nad2a(111)／3sub-steps， whichcreateson{111}rgowthsurfaceofsiliconcrysatlbysatckingfaults．Twokindsofsub—stepscreatedbytUl~Scna supply the lastingrgowth step sourcesofrSiphase．Th ergowth ending interfacemorphology ofprimary Siis five-pyramidpolyhedronpit-shaped，whichlikeshtenucleuscoagulatedbyoctahedrons．Therefore，htesub-stephteory canexplainthergowthmechanism ofhtefive-pryamidprismatic-shapedprimarySi． Keywords：five--pyramidprismatic--shapedprimarySi；layerrgowthrta