氩气压力对中频磁控溅射制备AZO薄膜性能的影响.pdfVIP

第 18卷 第 4期 金属功能材料 Vol_18。 NO．4 2011年 8月 MetallicFunctionalMaterials August， 20I1 氩气压力对中频磁控溅射制备 AZO 薄膜性能的影响 张承庆，胡小萍，朱景森 ，方 玲 ，李德仁，卢志超，周少雄 (中国钢研科技集 团有限公司 安泰科技股份有限公司，北京 100081) 摘 要：在普通玻璃衬底上利用掺杂 2 (质量)A1。O。的ZnO陶瓷靶材在中频磁控溅射设备中制备了掺铝氧化锌 (ZnO：A1，AZO)薄膜 。利用 XRD、XPS、紫外可见分光光度计和 Hall测试系统研究了Ar气压力(O．73～2．0Pa) 对AZO透明导电薄膜结构、光学和电学性能的影响。随着 Ar气压力的增大，电阻率呈先减小后增大的趋势 ，在 0．83Pa时，AZO薄膜 的电阻率为 6．91×10 n ·cm，在波长 400~800nm 间的平均透过率超过 86％。研究结果 表明，Ar气压力对于 AZO薄膜 的导电性是一个敏感 的参数 ，Ar气压力影响在薄膜沉积过程 中氧空位的形成和分 布 ，从而影响薄膜 的导 电性 关键词：Ar气压力；中频磁控溅射；AZO薄膜；XPS 中图分类号：TM283；0484．4 文献标识码 ：A 文章编号：1005—8192(2011)04—0014—04 EffectsofArPressureonPropertiesofAZO FilmsPreparedbyM F M agnetronSputtering ZHANGCheng—qing，HU Xiao—ping，ZHU Jing—sen，FANG Ling， LIDe—ren，LU Zhi—chao，ZHOU Shao—xiong (AdvancedTechnologyandMaterialsCo．Ltd．，ChinaIronandSteel ResearchInstituteGroup，Beijing100081，China) Abstract：Aluminum-dopedzincoxide(AZO)filmsweredepositedonglasssubstratesbyM Fmagnetronsputtering from aZnO targetmixedwithA1zO3of2wt． ．Argongaspressurewasintherangeof0．73— 2．0Paduringdepo— sition．TheeffectofArgaspressureonthestructure，opticalandelectricalpropertiesoftheAZO thinfilmswerein— vestigatedbyX—raydiffraction，XPS，UV—VISspectrophotometerandHallmeasurementsystem．Itwasfoundthat withtheincreaseofArpressure，theresistivityofAZO filmsdecreasefirst，andthenincrease．Thelowestresistivi— tyofAZO filmsobtainedatArpressure0．83Pawas6．91×10 Q ·cm ，andanaveragetransmittanceisover86 inthevisiblerange(400~ 800nm)．TheresistivityoffilmswassensitivetotheArpressure．Thereasoncouldbe contributedtOtheeffectofArpressureontheformationofoxygenvacancydtiringthedepositionofthefilms． Keywords：Arpress