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DOI :10 . 13290 /j . cnki. bdtjs. 20 15 . 12 . 009
铜柱凸块生产关键工艺技术研究
, ,
薛兴涛 孟津 何智清
( ( ) , 20 1203)
中芯国际集成电路制造 上海 有限公司 上海
:
摘要 讨论了铜柱凸块生产工艺中籽晶层厚度和电镀电流密度等关键制程因素对铜柱凸块共
、 、 。
面性 晶圆应力 凸块剖面结构和电镀效率等方面的影响 研究结果表明增加电镀籽晶层厚度可
; , , ;
以提高凸块共面性 在相同电镀电流密度下 籽晶层越厚 晶圆应力越大 相同的籽晶层厚度
, , , ;
下 随着电镀电流密度增加 晶圆应力增加 但增加速率逐渐变慢 低电流密度下铜柱凸块顶部
形成盘碟形状的剖面结构, ;
而高电流密度容易使铜柱顶部形成圆拱剖面结构 采用阶梯电镀速率
,
电镀方法与均一慢电镀速率电镀出的铜柱凸块共面性一致 而采用阶梯电镀法既能够提高电镀效
率又可以得到较好的铜柱顶部盘碟形剖面结构。
: ; ; ; ; ;
关键词 铜柱凸块 电镀 籽晶层 共面性 凸块剖面 应力
中图分类号:TN405. 96 文献标识码:A 文章编号:1003 - 353X (2015)12 - 0925 - 05
Study on Key Technology for Copper Pillar Bumping Production
Xue Xingtao ,Meng Jin ,Ho Chihching
(Semiconductor Manuf acturing International (shanghai)Corp oration ,Shanghai 201203 ,China)
Abstract :The effects of key processes such as the physical vapor deposition and electro plating on
the bump height coplanarity ,copper pillar bump profile ,wafer stress and electroplating efficiency were
investigated during the copper pillar bumping production. The results show that the increase of the under
bump metal Ti / Cu layer thickness can improve the bump height coplanarity. In the same electroplating
current density ,the seed layer thickness will bring the increment of the wafer stress. At the same under
bump metal layer thickness ,accompanied with the increase of the current density ,th
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