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- 2021-10-08 发布于江苏
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EPE 电子工业专用设备 ·封装与测试·
EquipmentforElectronicProductsManufacturing
一种基于Ag-Sn等温凝固的圆片
键合技术
1 1 2 2 2
李小刚 ,蔡坚 ,
YoonChulSohn,QianWang,WoonbaeKim
(请华大学微电子所,北京; 三星先进技术研究院,水原市,韩国)
1. 2.
摘 要:研究了用 作为键合中间层的圆片健合。相对于成熟的 键合系统 典型键合温
Ag-Sn Au-Sn (
度是 ,该系统可以提供更低成本、更高键合后分离 温度的圆片级键合方案。使
280℃) (De-Bonding)
用直径为 硅片,盖板硅片上溅射多层金属 ,利用 工艺来形成图形。基
100mm Ti/Ni/Sn/AuLift-off
板硅片上溅射 。硅片制备好后,将盖板和基板叠放在一起送入键合机进行键合。键合
Ti/Ni/Au/Ag
过程在N2气氛中进行,键合过程中不需要使用助焊剂。研究了不同键合参数,如键合压力、温度
等对键合结果的影响。剪切强度测试表明样品的剪切强度平均在 。 测试表明键合
55.17MPaTMA
后分离温度可以控制在 左右。 泄漏测试证明封接的气密性极好。
500℃ He
关键词:等温凝固; 互扩散;圆片键合
Ag-Sn
中图分类号: 文献标识码: 文章编号:
TN405 A 1004-4507(2007)09-0033-06
1 1 2 2 2
LIXiao-gang,CAIJian,YoonChulSohn,QianWang,WoonbaeKim
℃),
收稿日期:
2007-08-04
作者简介:
李小刚(1981-),男,四川省华蓥市人,硕士研究生,主要从事MEMS封装相关技术研究。
Sep. 2007(总第152期) 33
·封装与测试· 电子工业专用设备 EPE
EquipmentforElectronicProductsManufacturing
temperaturearestudied.Theaverageshearstrengthof55.17MPawasachieved.TMAindicatesthe
de-bondingtemperatureisabout500℃.Verygoodhermeticitywaspr
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