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29 1 Vol.29 No.1
2008 1 JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan., 2008
SnAg ＊
1, 2, 1, 2 1
林小芹 朱大鹏 罗 乐
(1 , 200050)
(2 , 100049)
: 100μm Sn-3.0Ag .1.42%, Υ100mm
3.57%, Ag .SnAg/ Cu ,
.SnAg Cu Cu Sn .SnAg/ Cu Sn
6 5 6 5
., SnAg/ Cu
.Cu Sn / Cu .
6 5
:SnAg;;;;;
PACC:8140 EEACC:0170G
:TN3 :A :0253-4177(2008)01-0168-06
(P CVD)SiO2, ,
1 (RI )SiO2 , Al ;(4 )TiW/Cu ;
(5)9260 ;(6) Cu ;(7)
、、、, SnAg ;(8) TiW/Cu ;(9)
. .SnAg
(flip chip on oard, FCOB)90% , 99.95%,
, . SnAg Ag .25 ℃,
. 2
20mA/cm , 3 ～ 4μm/min.Al-
100μm ., pha RF800 .
100μm . (falcon 8500),
, 260 ℃, 100, 150,
, , 220, 260 80 ℃, 30s, 4 ℃/
[ 1～ 3]
.Sn-Ag s. 1, 3, 6 13 .
.Hitachi S-4700
[ 4]
. SnAg/Cu
, 、, 、, .Dage4000 ,
[5]
., SnAg 100μm/s, 15μm,
[6 ～ 8]
, SnAg .
,
3
.
,
[9, 10] 3.1
., TiW/Cu UBM
100μm Sn-3.0Ag . SnAg 1.
SnAg UBM , 13×13 SnAg ,
, . .Υ100mm 70.4μm ±
3.0μm, 2.7μm.:[ (
2
-)/ (+)] ×100%,
SnAg :(1)Υ100mm p 1.42%, Υ100mm
(100), ;(2 )0.6μm Al 3.57%.(2)
, ;(3) , Ag2.9
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