磁控溅射SiC薄膜表面形貌演化行为研究.pdfVIP

2011年8月 第4期 金刚石与磨料磨具工程 Aug．2011 第31卷 总第 184期 Diamond＆AbrasivesEngineering No．4 Vo1．31 Seria1．184 文章编号：1006—852X(2011j04—0032—05 磁控溅射 SiC薄膜表面形貌演化行为研究 陈 晖 周细应 孙 卿 (上海工程技术大学材料工程学院，上海 201620) 摘要 采用射频磁控溅射法在石英玻璃基底上沉积 SiC薄膜。用扫描电子显微镜 (SEM)和原子力显微 镜(AFM)观察薄膜的表面形貌，利用粗糙度和颗粒度大小对薄膜表面形貌动态演化进行量化表征。结果 表明：在 100～175W溅射功率范围内，1000oC高温真空退火处理能明显减小SiC薄膜表面粗糙度，膜层 表面更为平滑，颗粒大小更为均匀；随着溅射功率的增大，颗粒度的总体变化呈现先增大后减小的趋势。 关键字 SiC薄膜 ；表面演化；原子力显微镜 中图分类号 TG73 文献标识码 A DOI编码 10．3969／j．issn．1006—852X．2011．04．007 Studyon surfacedynamicevolution ofSiC thinfilmsdepositedbymagnetronsputtering ChenHui ZhouXiying SunQing (CollegeofMaterialsEngineering，ShanghaiUniversityofEngineeringScience， Shanghai201600，China) Abstract SiC thinfilmsweregrownonquartzglasssubstratesbymagnetronsputtering．Surfacemorphologyof thefilmswasinvestigatedbyscanningelectronmicroscope(SEM)andatomicforcemicroscope(AFM)，then thefilm surfacedynamicevolutionwasanalyzedbydetectingroughnessandgrainsize．Theresultsshowedthat at100～175W sputteringpower，thesurfaeeroughnessofSiCthinfilmswassignificantlyreducedby1000oC hightemperaturevacuum annealing．The surfacemorphologyoffilmsbecamesmoother，andtheparticlesize becamemoreuniform ．W iththesputteringpowerincreasing，theparticlesizeofdiamondfilm increasedfirstand thendecreased． Keywords SiC thinfilms；surfaceevolution；atomicforcemicroscope 义。磁控溅射法制备薄膜具有沉积速率高、沉积温度 0 前言 低等特点，适用于制备较低沉积温度下的非晶纳米 SiC薄膜在较低的沉积温度下生长可以有效的避 SiC薄膜。相关研究表明 ，非晶SiC薄膜在紫外一 免生长界面处产生的空位和缺陷，而且可以获得发光 可见波段具有优异的透射光谱 ，是 Si基太阳能电池增 二极管、光电晶体管和太阳能电池等光电器件所需的