Low-Temperature （〈 100℃） Poly-Si Thin Film Fabrication on Glass.pdfVIP

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2017-09-12 发布于湖北
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CHIN．PHYS．LETT．Vo1．26，No，l(2009)018102 Low—Temperature(i00。C)Poly—SiThinFilm FabricationonGlass wANGCheng—Long(T[成龙) ‘，FANDuo—Wang(范多旺)一，SUNShuo(孙硕)。，ZHANGFu—Jia(张福甲)。， LIUHong—Zhong(刘红忠) NationalEngineeringResearchCenterforTechnology andEquipmentofGreen Coating LanzhouJiaotong Universitj~ ， Lanzhou 73O070 M OE KeyLabofOpto-electronicTechnologyandIntelligenceControl，LanzhouJiaotong University Lanzhou 730070 , SchoolofPhysicsScienceand Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000 StateKye Laboratory ofrManufacturingSystemsEngineering Xi’anJiaotong University,Xi’an 710049 ， (Received12April20081 PolycrystMlinesiliconfpoly-si)thin—film isfabricatedOliAI—coatedplanargla~ssubstratesatthetemperatrae below 100C‘，usingaluminium—inducedcrystallized(AIC)amorphoussilicon a-si)depositedbvdc—magnetron sputtering underan electricfield．ThepropertiesofNA poly-SifilmsfAIC ofdc-magnetron sputteredsilicon non—annealirlg)arecharacterizedbyRamanspectroscopyandx—raydiffraction(XRD)spectroscopy．Anarrow andsymmetricalRinaupeak atawavenumberofabout521cm ～ isobserved ofrsamples ． showing thatthe filmsarefuJ』ycrystallized．XRDspectrareveajthatthefilmsarepreferentiallyrlj1)oriented．Furthermore，the XRDspectrum ofthesamplepreparedwithoutelectricfielddoesnotshowanyXRDpeaksforpoty．Si，which oi1 appearsatabout38。ofrAjfJJJ)orientation．Itisindicatedthattheelectricfieldplaysan