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导体集成电路的可靠性
- 自旋的电子
6.12J / 3.155J 微电子工艺
Read Campbell, p. 425 -428 and Ch. 20. Sec. 20.1, 20.2; Plummer, Sec. 11 .5.6
IC可靠性:
成品率 = (# 有效器件) / (总数 # 产出)
随着时间阶段的不同, 器件失效有不同的机理:
表面的粒子中断淀积, 器件产生裂纹
由于充电或者介质击穿,氧化物,电介质 失效
通过腐蚀金属失效
电迁移:当器件工作时,金属互连线内有一定电流通过,金属离子
会沿导体产生质量的输运,其结果会使导体的某些部位产生空洞
或晶须,产生失效. (Ohring, p. 379 - 383)
磁系统: 相互扩散, 应力
自旋电子的可靠性, 是一种非挥发性的磁性随机存储
器(MRA M)
N o v . 2 4 , 2 0 0 3
导体I Cs的可靠性
为什么这是个问题?
6.12J / 3.155J 微电子工艺
有效的成品率是以下的乘积: Y1 x Y2 x Y3 (e.g., a 10-步工艺,每次成品率为95% =60% 的成品
率)
缺陷密,D,, 减 少 , 随 后 又 增 大
““经验曲线””: 成品率vs.批号和r 动态随机存储器
a v e r a g e r o v e r l as t 7 7 l ot s .
N o v . 2 4 , 2 0 0 3
1
消除缺陷
缺陷密度
6.12J / 3.155J 微电子工艺
最简单的成品率模型假定是独立的,随机分布缺陷, (泊松分布):
A = 基片面积 AD =重叠基
生产
D = 缺陷数/面积 片缺陷的几
率
A D
3
粒子控制: 类_______ (Max #/ft ) 0.5 mm
1 1
10 10
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